短沟道效应
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短沟道效应（英语：short-channel effects）是当金属氧化物半导体场效应管的导电沟道长度降低到十几纳米、甚至几纳米量级时，晶体管出现的一些效应。这些效应主要包括阈值电压随着沟道长度降低而降低、漏致势垒降低、载流子表面散射、速度饱和、离子化和热电子效应。[4][5]
| “短沟道效应”的各地常用名称 | |
|---|---|
| 中国大陆 | 短沟道效应 |
| 台湾 | 短通道效应[1][2][3] |
参考文献
编辑- 引用
- ^ Chapter 2 奈米金氧半電晶體2.1 簡介 - Advanced Silicon .... 国立台湾大学电机工程学系. [2015-03-02]. （原始内容存档于2015-04-02）.
- ^ 施敏 2008.
- ^ 施敏 2009.
- ^ Advanced MOSFET issues. University of Colorado. [2015-03-01]. （原始内容存档于2012-06-15）.
- ^ Brian Winstead; Umberto Ravaioli , Senior Member, IEEE. Simulation of Schottky Barrier MOSFET’s with a Coupled Quantum Injection/Monte Carlo Technique (pdf). IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 47, NO. 6,. uiuc: p.1241. JUNE 2000 （英语）.
- 书目
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- 施敏; 伍国珏; 译者：张鼎张、刘柏村. 半導體元件物理學(上冊). 台湾: 国立交通大学. 2008-08-01 [2008]. ISBN 978-986-843-951-1 （中文）. （繁体中文）
- 施敏; 伍国珏; 译者：张鼎张、刘柏村. 半導體元件物理學(下冊). 台湾: 国立交通大学. 2009-04-14 [2009]. ISBN 978-986-843-954-2 （中文）. （繁体中文）