浮體效應(英語:Floating body effect)是在SOI技術中實現的晶體管與體勢(body potential)相關的效應。晶體管在絕緣體層上形成一個電容。這個電容上聚集的電荷可能會產生負面效應,例如,開啟結構上的寄生晶體管和關態泄漏電流(off-state leakages),造成更高的電流消耗,以防動態隨機存取存儲器丟失信息。它也造成歷史效應(英語:history effect),即晶體管與之前狀態閾值電壓有關的效應。在模擬電路器件中,浮體效應被稱作扭結效應(英語:Kink effect)。

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