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摘要

描述

Molecular dynamics computer simulation of the deposition of a single copper atom with

a kinetic energy of 1 eV on a copper surface. Technical details: cross section of two atom layers in the middle of a larger (10x10x10 unit cells) 3D simulation cell. Simulation made with Sabochick-Lam embedded-atom method potential, Berendsen temperature control used only at the outer boundaries to scale temperature down to 0 K. Initial temperature 0 K (cell prerelaxed to allow for surface relaxation inwards). This kind of processes occur in reality during physical vapour deposition.
日期
來源 自己的作品
作者 Knordlun

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目前2007年7月30日 (一) 12:39於 2007年7月30日 (一) 12:39 版本的縮圖320 × 380(669 KB)Knordlun{{Information |Description=Molecular dynamics computer simulation of the deposition of a single copper atom on a copper surface. Technical details: cross section of two atom layers in the middle of a larger 3D simulation cell. Simulation made with Sabochi

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