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国际电子元件会议

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国际电子元件会议（英语：International Electron Devices Meeting，缩写：IEDM），是每年12月在美国旧金山或华盛顿哥伦比亚特区其中一处举行的年度电子会议。此会议作为一个论坛，在其中报告半导体、电子元件技术、设计、制造、物理与模型等领域中的技术突破。[1][2]IEDM将世界上工业界与学界的管理者、工程师和科学家聚在一起讨论奈米级CMOS晶体管技术、先进记忆体、显示、感测器、微机电系统元件、新颖量子与奈米级规模（英语：nanoscale）元件、粒子物理学现象、光电工程、功率与能量收集元件（英语：energy harvesting）、高速元件、制程技术、元件模型化与模拟。 会议也涵盖硅、化合物、有机半导体与新兴材料系统元件的讨论和简报。[3][4]除技术论文简报外，IEDM包含多个全体简报、小组会议、教程、短期课程与由工业界与学界专家所引导的邀请会谈。[5][6][7]

国际电子元件会议
网站http://www.his.com/~iedm/

赞助发起

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国际电子元件会议是由电机电子工程师学会（页面存档备份，存于互联网档案馆）(IEEE)中的电子元件学会 （页面存档备份，存于互联网档案馆）(EDS)所赞助发起的。

历史

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第一届年度电子元件技术会议(于1960年代中期更名为国际电子元件会议)于1955年10月24-25日在华盛顿哥伦比亚特区的索尔海姆酒店（英语：Shoreham Hotel）举行，大约有700位科学家参与。 在那时候，七岁大的晶体管与真空管为电子元件的主要技术。发表了国家最先进电子元件技术的54篇论文，主要来自四家美国公司：贝尔实验室、美国无线电公司、休斯飞机公司和西尔瓦尼亚电子产品（英语：Sylvania Electric Products）。 两个主要的原因驱动了电子元件会议的需要，其一是快速成长的新兴"固态"电子分支，另一个则是美国政府航空太空和防卫中对于固态电子元件与更好微波管的渴望。[8]

IEDM 2013

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2013年国际电子元件会议将在12月9-11日于华盛顿希尔顿酒店（英语：Washington Hilton）举行。

特别受到关注的会议主题包含：

主要关注主题将会是：

IEDM 2012 摘要

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2012年国际电子元件会议在12月10-12日于旧金山联合广场希尔顿酒店（英语：Hilton San Francisco Union Square）举行。此次会议着重于：[9]

  • 技术/电路共同最佳化
  • 功率/效能/面积分析
  • 制造及制程控制设计
  • CMOS平台技术与规模

2012年IEDM所有技术计划 （页面存档备份，存于互联网档案馆）

IEDM 2011 摘要

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2011年国际电子元件会议在12月5-7日于华盛顿希尔顿酒店（英语：Washington Hilton）举行。本次会议着重于下列项目：[10][11]

2011年IEDM所有技术计划 （页面存档备份，存于互联网档案馆）

IEDM 2010 摘要

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2010年国际电子元件会议在12月6-8日于旧金山联合广场希尔顿酒店（英语：Hilton San Francisco Union Square）举行。此次会议摘要包含：[12][13]

  • 着重于动力与能源
  • 15 nm CMOS 元件技术
  • 新颖的量子与奈米级元件
  • 微机电系动力学
  • 石墨烯FETs

2010年IEDM所有技术计划 （页面存档备份，存于互联网档案馆）

IEDM 2009 摘要

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由于华盛顿哥伦比亚特区会场装修，2009年国际电子元件会议在12月7-9日于巴尔的摩希尔顿酒店（英语：Hilton Baltimore）举行。此次会议的焦点如下：[14][15]

  • 多种能源效率技术，如光动力视网膜植入与廉价有机材料制成的太阳能电池
  • 下一世代主流电脑芯片技术－英特尔功能完备的32奈米（英语：32-nanometer）技术平台
  • 奈米级（英语：nanoscale）大小的晶体管
  • 先进电脑记忆体，包括三维与相位变化记忆体技术
  • 一个原子厚度的石墨烯，是一个具有潜力的新材料能持续将电子系统微型化
  • 元件/电路交互作用
  • 融合标准硅芯片与GaN(氮化镓)及其他的复合半导体材料的技术

2009年IEDM所有技术计划 （页面存档备份，存于互联网档案馆）

IEDM 2008 摘要

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2008年国际电子元件会议在12月15-17日于加州旧金山举行。此次会议的主要摘要包含：

  • 生命科学领域中微米与奈米技术的特别会议
  • 独立电子系统中元件与电路的交互作用
  • 三维集成电路的建立
  • 先进电脑记忆体
  • 使用于下一世代电子系统，以奈米线制作并多了10倍容量的电池

2008年IEDM所有技术计划 （页面存档备份，存于互联网档案馆）

参考

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  1. ^ Mokhoff, Nicolas. Start of a beautiful friendship. EE Times (UBM Tech). 18 Dec 2006 [2013-04-25]. 
  2. ^ Mokhoff, Nicolas. Nanotechnology, organics advance toward IEDM. EE Times (UBM Tech). 6 Oct 2000 [2013-04-25]. 
  3. ^ Mokhoff, Nicolas. Compound semiconductors hot topic at IEDM. EE Times (UBM Tech). 2011-09-20 [2013-04-25]. （原始内容存档于2011-12-24）. 
  4. ^ Purvis, Gail. IEDM, where the device is king. Power Systems Design. 15 Nov 2012 [2013-04-25]. （原始内容存档于2013-06-06）. 
  5. ^ Haavlind, Robert. IEDM shows real details of materials technology, devices. Solid State Technology (Penwell Corporation). 1 Jan 2008 [2013-04-25]. [永久失效链接]
  6. ^ Burggraaf, Pieter. IEDM 1999 focused on CMOS solutions. Solid State Technology (PennWell Corporation). 1 Feb 2000 [2013-04-25]. [永久失效链接]
  7. ^ Lapedus, Mark. Update - IEDM: Papers down, challenges up. EE Times (UBM Tech). 10 Dec 2010 [2013-04-25]. （原始内容存档于2011-05-11）. 
  8. ^ McEwan, A.W. A production model K-band backward wave oscillator. IRE Transactions on Electron Devices. April 1956, 3 (2): 108 [2013-04-25]. doi:10.1109/T-ED.1956.14115. （原始内容存档于2014-04-19）. 
  9. ^ IEDM unveils 2012 program highlights. Solid State Technology (PenWell Corporation). 2012-09-17 [2013-04-25]. （原始内容存档于2012-11-22）. 
  10. ^ James, Dick. IEDM 2011 Preview: Chipworks' must-see picks for IEDM. Solid State Technology (PenWell Corporation). 4 Dec 2011 [2013-04-25]. [永久失效链接]
  11. ^ Clarke, Peter. IEDM compendium. EE Times (UBM Tech). 8 Dec 2011 [2013-04-25]. （原始内容存档于2012-01-10）. 
  12. ^ Fury, Michael. IEDM observations: Getting back to the mechanical in MEMS. Solid State Technology (PenWell Corporation). 17 Dec 2010 [2013-04-25]. [永久失效链接]
  13. ^ Scansen, Don. IEDM: A perspective from afar. EE Times (UBM Tech). 10 Dec 2010 [2013-04-25]. （原始内容存档于2012-11-09）. 
  14. ^ Mokhoff, Nicolas. IEDM offers most recent research nuggets. EE Times (UBM Tech). 15 Oct 2009 [2013-04-26]. 
  15. ^ Mokhoff, Nicolas. IEDM panel: Manage innovators, not innovation. EE Times (UBM Tech). 12 Dec 2009 [2013-04-26]. 

其他资讯

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相关研讨会

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