氮化铝铟镓的化学式是InGaAlN,是以氮化镓为基础的半导体,常用磊晶成长的方式制成,像是有机金属化学气相沉积法(MOCVD)、分子束外延(MBE)、脉冲激光沉积(PLD)等方式[1]。此材料用在特别的光电应用中,像是蓝光激光LED及蓝光LED等。

参考资料

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  1. ^ Aluminum Gallium Nitride - an overview | ScienceDirect Topics. www.sciencedirect.com. [2022-09-04]. (原始内容存档于2023-04-09).