氮化鋁銦鎵

氮化鋁銦鎵的化學式是InGaAlN，是以氮化鎵為基礎的半導體，常用磊晶成長的方式製成，像是有機金屬化學氣相沉積法（MOCVD）、分子束外延（MBE）、脈衝雷射沉積（PLD）等方式。此材料用在特別的光電應用中，像是藍光雷射LED及藍光LED等。