氮化铝镓

氮化铝镓（AlGaN）是由氮化铝和氮化镓混合所组成的半导体。

Al_xGa_1−xN的能隙可以从 4.3eV（xAl=0）到6.2eV（xAl=1）^[1]。

AlGaN是发光二极管的材料，可以在蓝光到紫外线的范围内运作，其波长最低可到远紫外线的250 nm，有些记载的资料甚至可以低到222 nm^[2]，也用在蓝光激光二极管内。

AlGaN也可以用于紫外线辐射的侦测器，以及用在AlGaN/GaN的高电子迁移率晶体管内。

AlGaN常和氮化镓或氮化铝一起使用，以形成异质结。

AlGaN层常会长晶在氮化镓上，基质是蓝宝石或(111)的硅，几乎都会有额外的氮化镓层。

安全性和毒性

有关氮化铝镓的毒性目前尚未完全研究。其粉末会刺激皮肤、眼睛和肺部。有关氮化铝镓制备原料（像三甲基镓和氨）的环境、健康及安全（英语：environment, health and safety）议题以及标准有机金属化学气相沉积法来源的工业卫生监控，目前已有文献对其综述^[3]。

^ Growth and Characterization of Aluminum Gallium Nitride...
^ Noguchi Norimichi; Hideki Hirayama; Tohru Yatabe; Norihiko Kamata. 222 nm single-peaked deep-UV LED with thin AlGaN quantum well layers. Physica Status Solidi C. 2009, 6 (S2): S459–S461. Bibcode:2009PSSCR...6S.459N. doi:10.1002/pssc.200880923.
^ D V Shenai-Khatkhate; R Goyette; R L DiCarlo; G Dripps. Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors. Journal of Crystal Growth. 2004, 1–4 (1–4): 816–821. Bibcode:2004JCrGr.272..816S. doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.