氮化鋁鎵

氮化鋁鎵（AlGaN）是由氮化鋁和氮化鎵混合所組成的半導體。

Al_xGa_1−xN的能隙可以從 4.3eV（xAl=0）到6.2eV（xAl=1）^[1]。

AlGaN是發光二極體的材料，可以在藍光到紫外線的範圍內運作，其波長最低可到遠紫外線的250 nm，有些記載的資料甚至可以低到222 nm^[2]，也用在藍光雷射二極體內。

AlGaN也可以用於紫外線輻射的偵測器，以及用在AlGaN/GaN的高電子遷移率電晶體內。

AlGaN常和氮化鎵或氮化鋁一起使用，以形成異質結。

AlGaN層常會長晶在氮化鎵上，基質是藍寶石或(111)的矽，幾乎都會有額外的氮化鎵層。

安全性和毒性

有關氮化鋁鎵的毒性目前尚未完全研究。其粉末會刺激皮膚、眼睛和肺部。有關氮化鋁鎵製備原料（像三甲基鎵和氨）的環境、健康及安全（英語：environment, health and safety）議題以及標準有機金屬化學氣相沉積法來源的工業衛生監控，目前已有文獻對其綜述^[3]。

^ Growth and Characterization of Aluminum Gallium Nitride...
^ Noguchi Norimichi; Hideki Hirayama; Tohru Yatabe; Norihiko Kamata. 222 nm single-peaked deep-UV LED with thin AlGaN quantum well layers. Physica Status Solidi C. 2009, 6 (S2): S459–S461. Bibcode:2009PSSCR...6S.459N. doi:10.1002/pssc.200880923.
^ D V Shenai-Khatkhate; R Goyette; R L DiCarlo; G Dripps. Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors. Journal of Crystal Growth. 2004, 1–4 (1–4): 816–821. Bibcode:2004JCrGr.272..816S. doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.