氮化钪

化合物

氮化钪是一种无机化合物,化学式为ScN,由Sc3+和N3−构成。它可以由-熔体溶解气来制备[1],并在箔上通过升华凝华来生长单晶。[2]氮化钪也是二氧化硅(SiO2)或二氧化铪(HfO2)底物上半导体的有效栅极。[3]

氮化钪
IUPAC名
Scandium nitride
别名 一氮化钪
识别
CAS号 25764-12-9
PubChem 117629
ChemSpider 105117
SMILES
 
  • N#[Sc]
性质
化学式 ScN
摩尔质量 58.963 g·mol⁻¹
密度 4.4 g/cm3
熔点 2900 °C(3173 K)
危险性
GHS危险性符号
《全球化学品统一分类和标签制度》(简称“GHS”)中有害物质的标签图案
GHS提示词 Danger
H-术语 H228
若非注明,所有数据均出自标准状态(25 ℃,100 kPa)下。

参考文献

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  1. ^ Zhang, Guodong; Kawamura, Fumio; Oshima, Yuichi; Villora, Encarnacion; Shimamura, Kiyoshi. Synthesis of Scandium Nitride Crystals from Indium–Scandium Melts. Applied Ceramic Technology. 4 August 2016, 13 (6): 1134–1138. doi:10.1111/ijac.12576. 
  2. ^ Gu, Zheng; Edgar, J H; Pomeroy, J; Kuball, M; Coffey, D W. Crystal Grown and Properties of Scandium Nitride. Journal of Materials Science: Materials in Electronics. August 2004, 15 (8): 555–559. doi:10.1023/B:JMSE.0000032591.54107.2c. 
  3. ^ Yang, Hyundoek; Heo, Sungho; Lee, Dongkyu; Choi, Sangmoo; Hwang, Hyunsang. Effective Work Function of Scandium Nitride Gate Electrodes on SiO2 and HfO2. Japanese Journal of Applied Physics. 13 January 2006, 45 (2): L83–L85. doi:10.1143/JJAP.45.L83.