硒化铅

化合物

硒化铅硒化物,化学式为PbSe,它是一种半导体材料,是具有NaCl结构的立方晶体。它的直接带隙在室温下为0.27 eV[注1][2]

硒化铅
英文名 Lead selenide
识别
CAS号 12069-00-0  checkY
PubChem 61550
SMILES
 
  • [Pb+2].[Se-2]
性质
化学式 PbSe
摩尔质量 286.16 g/mol g·mol⁻¹
密度 8.1 g/cm3
熔点 1078 °C(1351 K)
溶解性 难溶
结构
晶体结构 Halite (cubic), cF8
空间群 Fm3m, No. 225
晶格常数 a = 6.12 Angstroms [1]
配位几何 Octahedral (Pb2+)
Octahedral (Se2−)
危险性
警示术语 R:R61, R20/22, R23/25, R33, R62, R50/53
安全术语 S:S1/2, S20/21, S28, S53, S45, S60, S61
欧盟分类 Repr. Cat. 1/3
Toxic (T)
Harmful (Xn)
Dangerous for the environment (N)
相关物质
其他阴离子 一氧化铅
硫化铅
碲化铅
其他阳离子 一硒化碳
一硒化硅
一硒化锗
硒化亚锡
若非注明,所有数据均出自标准状态(25 ℃,100 kPa)下。

制备

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硒化铅可由硒脲乙酸铅联氨(N2H4)或三碘化钾(KI3)的存在下反应得到。[3]

注释

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注1. 需要注意一些文献会错误地将PbSe和其它IV–VI当作间接带隙半导体材料。[4]

参考文献

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  1. ^ Lead selenide (PbSe) crystal structure, lattice parameters, thermal expansion. Landolt-Börnstein - Group III Condensed Matter: 1–4. [2017-10-24]. doi:10.1007/10681727_903. (原始内容存档于2016-09-16). 
  2. ^ Ekuma, C. E.; Singh, D. J.; Moreno, J.; Jarrell, M. Optical properties of PbTe and PbSe. Physical Review B. 2012, 85 (8). Bibcode:2012PhRvB..85h5205E. doi:10.1103/PhysRevB.85.085205. 
  3. ^ 姚官生, 司俊杰, 陈凤金. 化学沉淀法制备硒化铅薄膜[J]. 低温与超导, 2009, 37(9):73-76.
  4. ^ Kittel, Charles. Introduction to Solid State Physics 6th. New York: Wiley & Sons. 1986. ISBN 978-0-471-87474-4.