硒化鉛

化合物

硒化鉛硒化物,化學式為PbSe,它是一種半導體材料,是具有NaCl結構的立方晶體。它的直接帶隙在室溫下為0.27 eV[注1][2]

硒化鉛
英文名 Lead selenide
識別
CAS號 12069-00-0  checkY
PubChem 61550
SMILES
 
  • [Pb+2].[Se-2]
性質
化學式 PbSe
摩爾質量 286.16 g/mol g·mol⁻¹
密度 8.1 g/cm3
熔點 1078 °C(1351 K)
溶解性 難溶
結構
晶體結構 Halite (cubic), cF8
空間群 Fm3m, No. 225
晶格常數 a = 6.12 Angstroms [1]
配位幾何 Octahedral (Pb2+)
Octahedral (Se2−)
危險性
警示術語 R:R61, R20/22, R23/25, R33, R62, R50/53
安全術語 S:S1/2, S20/21, S28, S53, S45, S60, S61
歐盟分類 Repr. Cat. 1/3
Toxic (T)
Harmful (Xn)
Dangerous for the environment (N)
相關物質
其他陰離子 一氧化鉛
硫化鉛
碲化鉛
其他陽離子 一硒化碳
一硒化硅
一硒化鍺
硒化亞錫
若非註明,所有數據均出自標準狀態(25 ℃,100 kPa)下。

製備

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硒化鉛可由硒脲乙酸鉛聯氨(N2H4)或三碘化鉀(KI3)的存在下反應得到。[3]

注釋

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注1. 需要注意一些文獻會錯誤地將PbSe和其它IV–VI當作間接帶隙半導體材料。[4]

參考文獻

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  1. ^ Lead selenide (PbSe) crystal structure, lattice parameters, thermal expansion. Landolt-Börnstein - Group III Condensed Matter: 1–4. [2017-10-24]. doi:10.1007/10681727_903. (原始內容存檔於2016-09-16). 
  2. ^ Ekuma, C. E.; Singh, D. J.; Moreno, J.; Jarrell, M. Optical properties of PbTe and PbSe. Physical Review B. 2012, 85 (8). Bibcode:2012PhRvB..85h5205E. doi:10.1103/PhysRevB.85.085205. 
  3. ^ 姚官生, 司俊傑, 陳鳳金. 化學沉澱法製備硒化鉛薄膜[J]. 低溫與超導, 2009, 37(9):73-76.
  4. ^ Kittel, Charles. Introduction to Solid State Physics 6th. New York: Wiley & Sons. 1986. ISBN 978-0-471-87474-4.