磷化铟

化合物

磷化铟Indium phosphide,InP)是由组成的二元半导体材料,磷化铟和砷化镓及大部分的三五族半导体相同,都是面心立方(闪锌矿)晶体结构

磷化铟
别名 Indium(III) phosphide
识别
CAS号 22398-80-7  checkY
PubChem 31170
ChemSpider 28914
SMILES
 
  • [In]#P
InChI
 
  • 1/In.P/rInP/c1-2
InChIKey GPXJNWSHGFTCBW-HIYQQWJCAF
性质
化学式 InP
摩尔质量 145.792 g·mol⁻¹
外观 黑色立方晶体
密度 4.81 g/cm3(固体时)
熔点 1062 °C(1335 K)
溶解性 微溶于[1]
能隙 1.344(300 K,直接带隙) eV
电子迁移率 5400 cm2/(V·s) (300 K)
热导率 0.68 W/(cm·K) (300 K)
折光度n
D
3.1 (红外线);
3.55 (632.8 nm)[2]
结构
晶体结构 闪锌矿结构
晶格常数 a = 5.8687 Å [3]
配位几何 四面体
热力学
ΔfHm298K -88.7 kJ/mol
S298K 59.8 J/(mol·K)
热容 45.4 J/(mol·K)[4]
危险性
MSDS External MSDS
欧盟编号 未列出
主要危害 有毒,会水解为磷化氢
相关物质
其他阴离子 氮化铟
砷化铟
锑化铟英语Indium antimonide
其他阳离子 磷化铝
磷化镓
相关化学品 磷化铟镓
磷化铝镓铟英语Aluminium gallium indium phosphide
砷锑磷化镓铟英语en:Gallium indium arsenide antimonide phosphide
若非注明,所有数据均出自标准状态(25 ℃,100 kPa)下。

制备

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磷化铟可由白磷碘化铟在400 °C下反应来制备[5]

用途

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磷化铟因为电子速率较常见的半导体及砷化镓都要高,可用在高功率高频的电子电路中。磷化铟因为有直接带隙英语direct bandgap,适合作像激光二极管光电工程元件。磷化铟也用在铟镓砷英语indium gallium arsenide为基础的光电元件中的磊晶基板。

化学

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在面心立方(闪锌矿)晶体结构的化合物中,磷化铟有最长寿命的光学声子[6]

参考资料

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  1. ^ Template:Citation book
  2. ^ Sheng Chao, Tien; Lee, Chung Len; Lei, Tan Fu, The refractive index of InP and its oxide measured by multiple-angle incident ellipsometry, Journal of Materials Science Letters, 1993, 12 (10): 721, doi:10.1007/BF00626698. 
  3. ^ Basic Parameters of InP. [2015-09-12]. (原始内容存档于2015-09-24). 
  4. ^ Template:Citation book
  5. ^ Indium Phosphide at HSDB. [2020-09-15]. (原始内容存档于2016-01-06). 
  6. ^ Bouarissa, Nadir. Phonons and related crystal properties in indium phosphide under pressure. Physica B: Condensed Matter. July 2011, 406 (13): 2583–2587 [22 March 2013]. doi:10.1016/j.physb.2011.03.073. 

外部链接

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