临界电压(英语:Threshold voltage ; 标示为: Vth[1],又称阈电压[2]临界电压,通常指的是在TTLMOSFET的传输特性曲线(输出电压与输入电压关系图线)中,在转折区中点所对应的输入电压的值。

计算机仿真展现的纳米线MOSFET中反型沟道的形成(电子密度的变化)。阈值电压在0.45V左右。

当器件由空乏向反转转变时,要经历一个Si表面电子浓度等于电洞浓度的状态。此时器件处于临界导通状态,器件的闸极电压定义为阈值电压,它是MOSFET的重要参数之一。


参考资料

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