臨界電壓(英語:Threshold voltage ; 標示為: Vth[1],又稱閾電壓[2]臨界電壓,通常指的是在TTLMOSFET的傳輸特性曲線(輸出電壓與輸入電壓關係圖線)中,在轉折區中點所對應的輸入電壓的值。

計算機仿真展現的納米線MOSFET中反型溝道的形成(電子密度的變化)。閾值電壓在0.45V左右。

當器件由空乏向反轉轉變時,要經歷一個Si表面電子濃度等於電洞濃度的狀態。此時器件處於臨界導通狀態,器件的閘極電壓定義為閾值電壓,它是MOSFET的重要參數之一。


參考資料

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