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移动DDR

（重定向自LPDDR2）

移动DDR（英文：Mobile DDR）（也称MDDR、Low Power DDR或LPDDR）是DDR SDRAM的一种，专门用于移动式电子产品，例如智能手机等。

LPDDR: Samsung K4X2G323PD-8GD8

DDR内存从DDR、DDR2、DDR3发展到DDR4，频率不断升高、电压不断降低，但反应时间不断变大。如今的DDR4内存最重要的使命是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚可提供2Gbps（256MB/s）的带宽，拥有4266MT/s的频率，内存容量最大可达128GB，运行电压正常可降至1.1V~1.2V。

相对于DDR内存，MDDR具有低功耗、高可靠性的特点，目前韩国三星电子与美光科技（Micron Technology）等公司已掌握该项技术。

MDDR的运行电压（工作电压）低于DDR的标准电压，从第一代LPDDR到如今的LPDDR4，每一代LPDDR都使内部读取速度和外部传输速度加倍。如今的LPDDR4可提供32Gbps的带宽，输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps，电压降到了1.1V。

LPDDR2

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一个新的JEDEC标准JESD209-2F （页面存档备份，存于互联网档案馆）定义了low-power DDR接口标准。它与DDR1或DDR2 SDRAM并不兼容，但类似：

  • LPDDR2-S2: 2n prefetch memory (像 DDR1)，
  • LPDDR2-S4: 4n prefetch memory (像 DDR2)，或是
  • LPDDR2-N: 非易失性（NAND）内存。

低功耗状态基本相似，LPDDR，一些额外的部分数组更新选项。

LPDDR2 命令编码[1]
CK CA0
(RAS)		 CA1
(CAS)		 CA2
(WE)		 CA3 CA4 CA5 CA6 CA7 CA8 CA9 操作
↑ H H H — NOP
↓ —
↑ H H L H H — 预先充电所有的 banks
↓ —
↑ H H L H L — BA2 BA1 BA0 预先充电一个 bank
↓ —
↑ H H L H A30 A31 A32 BA2 BA1 BA0 Preactive
(LPDDR2-N only)
↓ A20 A21 A22 A23 A24 A25 A26 A27 A28 A29
↑ H H L L — 突发中止
↓ —
↑ H L H reserved C1 C2 BA2 BA1 BA0 读
(AP=auto-precharge)
↓ AP C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 C10 C11
↑ H L L reserved C1 C2 BA2 BA1 BA0 写
(AP=auto-precharge)
↓ AP C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 C10 C11
↑ L H R8 R9 R10 R11 R12 BA2 BA1 BA0 激活
(R0–14=Row address)
↓ R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R13 R14
↑ L H A15 A16 A17 A18 A19 BA2 BA1 BA0 激活
(LPDDR2-N only)
↓ A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12 A13 A14
↑ L L H H — 更新所有的 banks
(LPDDR2-Sx only)
↓ —
↑ L L H L — 更新一个 bank
(Round-robin addressing)
↓ —
↑ L L L H MA0 MA1 MA2 MA3 MA4 MA5 Mode register read
(MA0–7=Address)
↓ MA6 MA7 —
↑ L L L L MA0 MA1 MA2 MA3 MA4 MA5 Mode register write
(OP0–7=Data)
↓ MA6 MA7 OP0 OP1 OP2 OP3 OP4 OP5 OP6 OP7

列地址（Column address）C0 bit从未转让，并假定为零。 突发传输（Burst transfers）从而始终在偶数地址开始。

LPDDR2也有一个低电平有效的chip select（高时，一切都是NOP）和时钟（clock）开启CKE信号，操作像SDRAM。

  • 如果芯片被激活（active），它冻结（freeze）到位。
  • 如果该命令是一个NOP（CS低或CA0 - 2 = HHH），芯片空闲。
  • 如果该命令是一个更新命令（CA0 - 2 = LLH），芯片进入自更新状态。
  • 如果该命令是一个突发终止（CA0 - 2 = HHL），芯片进入深断电状态。 （完全复位序列时，需要离开。）

LPDDR3

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2012年5月，JEDEC固态技术协会公布JESD209-3低功耗记忆设备标准。比起LPDDR2，LPDDR3提供更高的数据传输速率、更高的带宽与功率效率。LPDDR3可达到1600 MT/s的数据传输速率，并利用关键的新技术write-leveling、command/address training、选择性ODT（On Die Termination）与低I/O电容。LPDDR3支持PoP封装（package-on-package）与离散封装两种形式。

LPDDR4

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2013年3月14日，JEDEC固态技术协会举办会议，探讨未来移动设备的新标准，如LPDDR4。

LPDDR4X

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三星电子提出最新的LPDDR4标准，与LPDDR4相同，只是透过将I / O电压降低到0.6 V而不是1.1 V来节省额外的功耗，也就是更省电。

LPDDR5

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2017年，JEDEC固态技术协会正在研究LP-DDR5记忆设备标准。尽管负责制定存储器标准的JEDEC固态技术协会尚未发表LPDDR5的正式规格，但三星已经完成8Gbit LPDDR5模块原型的功能测试与验证。

JEDEC于2019年2月19日发布了JESD209-5，低功耗双倍数据速率5（LPDDR5）标准。

LPDDR5X

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2021年7月28日，JEDEC发布了JESD209-5B，低功耗双倍数据速率5 (LPDDR5)。JESD209-5B包括对LPDDR5标准的更新，专注于提高性能、功耗和灵活性，以及新的LPDDR5X标准，这是对LPDDR5的可选扩展。

2021年11月9日，三星宣布公司已开发出业界首款LPDDR5x DRAM。基于14纳米的16GB LPDDR5X DRAM解决方案，不仅具有1.3倍以上的数据传输速率、功耗还降低了将近20%[2]。

2021年11月22日， 美光科技宣布，联发科技已率先验证美光LPDDR5X DRAM，并将用于其为智能手机打造的全新天玑9000 5G旗舰芯片组。[3]

LPDDR6

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  • 速度扩展达到 14400 Mbit/s
  • CAMM2

注释

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  1. ^ JEDEC Standard: Low Power Double Data Rate 2 (LPDDR2) (PDF), JEDEC Solid State Technology Association, February 2010 [2010-12-30], （原始内容存档 (PDF)于2012-03-04） 
  2. ^ Frumusanu, Andrei. Samsung Announces First LPDDR5X at 8.5Gbps. Anandtech.com. 2021-11-09 [2021-11-09]. （原始内容存档于2022-11-29）. 
  3. ^ Micron and MediaTek First to Validate LPDDR5X | Micron Technology. [2022-11-29]. （原始内容存档于2022-11-15）. 

外部链接

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检索自“https://zh.wikipedia.org/w/index.php?title=移动DDR&oldid=84469896#LPDDR2”