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PNP
NPN

双载子接面晶体管(Bipolar Junction Transistor,又称三极管)根据不同的掺杂方式,在同一芯片上,制造出三个掺杂区域,形成两个 P-N 接面。

以 NPN 晶体管为例:在双载子接面晶体管里,虽然基极内的电洞较多,是多数载子。但是电流的传递,主要却是透过基极里的少数载子(即电子)来完成的,也因此 BJT 被称做少数载子元件(minority-carrier devices)。

BJT 于1947年12月在贝尔电话实验室,在威廉·肖克利的指挥下,由约翰·巴丁沃尔特·豪泽·布喇顿共同发明。