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PNP
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NPN
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双载子接面晶体管（Bipolar Junction Transistor，又称三极管）根据不同的掺杂方式，在同一硅芯片上，制造出三个掺杂区域，形成两个 P-N 接面。
以 NPN 晶体管为例：在双载子接面晶体管里，虽然基极内的电洞较多，是多数载子。但是电流的传递，主要却是透过基极里的少数载子（即电子）来完成的，也因此 BJT 被称做少数载子元件（minority-carrier devices）。
BJT 于1947年12月在贝尔电话实验室，在威廉·肖克利的指挥下，由约翰·巴丁和沃尔特·豪泽·布喇顿共同发明。
