易失性存储器

电子设备存储器类型

易失性存储器(英语:Volatile memory)是指当电流中断后,所存储的资料便会消失的存储器。与之相对的是非易失性存储器 ,后者的电源供应中断后,存储器所存储的资料也不会消失,只要重新供电后,就能够读取内存资料。

主体类型

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易失性存储器主要有以下类型:

  • RAM(Random Access Memory,随机存储器)
    • DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存储器)
    • SRAM(Static Random Access Memory,静态随机存储器)

DRAM 的分支

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旧规格:

  • 快页模式内存 Fast Page Mode (FPM)
  • 扩展数据输出内存 Extended Data Out RAM (EDO RAM)
  • 突发模式扩展数据输出内存 Burst EDO DRAM (BEDO)
  • 同步动态存储器 (SDRAM)
  • 存储器总线式动态随机存储器 Rambus Dynamic Random Access Memory(RDRAM)
  • 直达存储器总线式内存Direct Rambus DRAM (DRDRAM)

显卡内存:

  • 同步图形动态内存 Synchronous Graphics RAM (SGRAM)
  • 视频随机存取存储器 Video DRAM (VRAM)
  • 窗口式显示内存(WRAM
  • 多槽动态内存 (MDRAM
  • 图形双通道同步动态随机存取记忆体一至五代 Graphics Double Data Rate 1-5(GDDR)

现时规格:

  • Pseudostatic RAM (PSRAM)伪静态随机存取内存
  • 低延迟动态随机存取存储器 Reduced Latency DRAM (RLDRAM)
  • 四倍数据倍率同步动态随机存取记忆体一至二代(QDR SRAM、QDR 2)
  • 双通道同步动态随机存取记忆体一至四代 Double Data Rate SDRAM 1-4(DDRDDR2DDR3DDR4)

未来规格:

相关条目

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外部链接

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