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斯特兰斯基-克拉斯坦诺夫生长

斯特兰斯基－克拉斯坦诺夫生长简称S-K生长，是薄膜在结晶表面磊晶成长的三种主要模式之一。此生长机制包含两个过程：首先在基板上吸附成薄膜并开始层状累积，达到临界厚度时，会因应力和化学能导致薄膜转变为岛状成长模式[1][2][3][4] 。S-K生长最早由伊万·斯特兰斯基和Lyubomir Krastanov在1938年发现[5]。直到1958年，S-K生长模式、Volmer-Weber生长模式和Frank–van der Merwe生长模式才被恩斯特·鲍尔（Ernst Bauer）在他的著作中正式归类为薄膜成长的三大主要机制。[6]

参考资料

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  1. ^ Venables, John. Introduction to Surface and Thin Film Processes. Cambridge: Cambridge University Press. 2000. ISBN 0-521-62460-6. 
  2. ^ Pimpinelli, Alberto; Jacques Villain. Physics of Crystal Growth. Cambridge: Cambridge University Press. 1998. ISBN 0-521-55198-6. 
  3. ^ Oura, K.; V.G. Lifshits; A.A. Saranin; A.V. Zotov; M. Katayama. Surface Science: An Introduction. Berlin: Springer. 2003. ISBN 3-540-00545-5. 
  4. ^ Eaglesham, D.J.; M. Cerullo. Dislocation-free Stranski-Krastanow growth of Ge on Si(100). Physical Review Letters. April 1990, 64 (16): 1943–1946. Bibcode:1990PhRvL..64.1943E. doi:10.1103/PhysRevLett.64.1943. 
  5. ^ Ivan N. Stranski and Lubomir Krastanow, (1938) Abhandlungen der Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Klasse IIb.
  6. ^ Bauer, Ernst. Phaenomenologische Theorie der Kristallabscheidung an Oberflaechen I.. Zeitschrift für Kristallographie. 1958, 110: 372–394. Bibcode:1958ZK....110..372B. doi:10.1524/zkri.1958.110.1-6.372. 
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