中國科學院半導體研究所
中國科學院半導體研究所（以下簡稱「半導體所」），是中國科學院下設的研究機構，位於北京市海淀區清華東路甲35號（位於北京林業大學北邊）。半導體所成立於1960年，前身是1956年成立的「半導體研究組」（隸屬於當時的中國科學院應用物理研究所，今中國科學院物理研究所）。半導體所的研究領域覆蓋半導體理論、材料、器件及其應用，下設半導體超晶格國家重點實驗室、半導體材料科學重點實驗室、集成光電子學國家重點聯合實驗室等十五個研究部門。
歷史沿革
編輯1956～1960
編輯1956年1月，國務院開始編制《1956～1967年科技發展規劃》（《十二年科學技術發展規劃》），國務院總理周恩來、副總理陳毅組織，范長江任科學規劃小組組長主持實際工作。3月14日，在周恩來的領導下，成立了以陳毅為主任的國務院科學規劃委員會，並邀請了全國600多位科學家和以拉札連柯為首的18位蘇聯專家參與規劃的制定工作。[1]在規劃中，將「計算機、電子學、半導體、自動化」列為四大緊急措施。到1956年6月中旬規劃會議結束，中國科學院根據規劃會議精神，將中國科學院應用物理研究所的電學組擴建為半導體研究室，任命王守武為研究室主任。研究室設立了半導體材料、器件和光熱電三個組，並以半導體（鍺）電子器件為主攻方向。
1956～1960年間，陸續加入半導體研究室的專家有王守武、湯定元、成眾志、吳錫九、王守覺、林蘭英等。另外，中國科學院還向有關高等院校和研究單位發出邀請，請他們派出科研人員到半導體研究室共同開展半導體研究。當時來到半導體所參加研究工作的主要有熊子璥、吳汝麟、戴春洲、武爾禎、李衛、劉穎等四十餘人。
這期間取得的主要成就有：
- 1957年下半年，中國第一根鍺單晶。
- 1957年底，中國第一批鍺合金結晶體管，型號定為「Π6」（蘇聯型號）。
- 1958年7月，中國第一根硅單晶。
- 1958年8月，中國第一批鍺合金擴散晶體管，型號定為「Π401」。
1958年，為了配合研製109乙機的需要，物理所半導體室組建了一個附屬工廠——109廠，專門生產109機所需的二極管，這是我國最早的晶體管生產廠。建廠初期，半導體室的科研人員親自到廠里指導工人操作。受到當時條件的限制，工廠的主要操作都由手工完成，因此能夠供應的晶體管很少。到1959年2月，共生產六千餘只晶體管，其中封裝好的一千餘只。到1963年底，109廠才生產出109乙機所需的全部鍺晶體管。
1959年5月，物理所開始了把半導體研究室擴建為半導體研究所的準備工作。成立了辦公、後勤機構，將物理所圖書館有關半導體的書籍分揀出來，成立了「半導體圖書館」，並在中關村建設半導體研究所的新樓。但後來新樓建成，又改由物理所占用，半導體所留在物理所原址——大取燈胡同9號。
1960～1966
編輯1960年9月6日，半導體所正式成立。首任所長為宋之春，王守武任主管業務的副所長。1961年宋之春調往新疆科委，楊剛毅（力學所副所長）代理所長到1962年，劉再生自山東科委調任半導體所所長。建所時，所內共有正副研究員6人，正研究員是王守武、林蘭英，副研究員是成眾志、湯定元、蘭繼喜和王守覺。當時半導體所共設五個研究室：
另有負責中間試驗和批量生產的109廠和七（溫差電）、八（化學）、九（物理）三個組，分別由五、一、三代管。
1966～1976
編輯1968年，半導體所劃歸國防科委第十四研究院，至1975年劃回中國科學院。[2]
1976～1986
編輯1986～至今
編輯傑出人士
編輯兩院院士
編輯- 黃 昆，中國科學院院士（1955年），1977年起在半導體所工作，2005年去世。
- 王守武，中國科學院院士（1980年），1960年起在半導體所工作。
- 王守覺，中國科學院院士（1980年），1960年起在半導體所工作。
- 林蘭英，中國科學院院士（1980年），1960年起在半導體所工作，2003年去世。
- 王啟明，中國科學院院士（1991年），1960年起在半導體所工作。
- 吳德馨，中國科學院院士（1991年），1961～1986年在半導體所工作。
- 湯定元，中國科學院院士（1991年），1960～1964年在半導體所工作。
- 鄭厚植，中國科學院院士（1995年），1965年起在半導體所工作。
- 王占國，中國科學院院士（1995年），1962年起在半導體所工作。
- 王 圩，中國科學院院士（1997年），1960年起在半導體所工作。
- 陳良惠，中國工程院院士（1999年），1963年起在半導體所工作。
- 夏建白，中國科學院院士（2001年），1978年起在半導體所工作。
- 朱邦芬，中國科學院院士（2003年），1981～2000年在半導體所工作。
主要來源
編輯- 何春藩，中國半導體科學技術的發展
- 王守武，我國半導體科學技術發展歷史的回顧
- 王 微，建所初期的機制與人事活動