反常光生伏特效應

反常光生伏特效應（英語：Anomalous photovaltaic effect）指從熱力學觀點，半導體器件所能產生的最大光生伏特電壓應等於它的能帶隙的寬度電壓。但有些半導體和絕緣體，如ZnS,當用紫外光照射時，能產生開路電壓比它的能帶隙寬高的光生伏特電壓.這種現象稱為反常光生伏特效應。

這種效應所產生的都是指開路電壓較高，有些情況下，能產生高達上千伏；但在閉路有電流時，則能產生很小的功率。因此，能產生反常光生伏特效應的材料，目前還都不能實用。

什麽材料才能發生反常光生伏特效應？根據大量數據總結，梅茲提出假設；只有材料內含有一些簡單的單元，每單元產生的光生伏特電壓經串聯，使總電壓升高的材料，才能成為具有反常光生伏特效應的材料。根據梅茲的假設可知，下列三種材料能產生反常光生伏特效應：

1. 多晶材料，每一微晶可視為一光伏特電池；整個多晶的微晶電壓串聯起來的電壓就可具有比它的能帶隙寬高的電壓。
2. 某些鐵電材料能發展成鐵電條狀疇；每個疇也可視為一個光伏特電池，它們串起來也可獲得較高的光生伏特電壓。
3. 具有非中心對稱結構的單晶可產生巨大的光生伏特電壓。這種情況特別稱為體光生伏特效應。

一個簡單的系統，可以表現出大容量光伏效應的一個例子。還有每個晶胞兩個電子的水平，以大能隙隔開，說為3eV。藍色箭頭表示輻射躍遷，即電子能吸收紫外線光子從A轉到B，或者它可以發射的UV光子從B到去A的紫色箭頭表示無輻射躍遷，即電子可以從乙到C上發射多聲子，或者可以在C通過吸收多聲子到B。當光線照耀下，電子會偶爾向右吸收一個光子，從A到但B到C移動，它幾乎不會移動方向相反，C到B到A，因為從C到B的轉換要求一個不大可能的大熱擾動。因此，有一個淨向右光電流。