場限環

場限環（英語：Field Limiting Ring），是一種通過離子注入或擴散等方式，在平面結的主結外圍形成與主結極性相同、環狀分布的雜質區，從而抑制主結邊緣由曲率效應引起的電場集中，以分壓的方式將電壓逐漸降低，達到提高器件擊穿電壓的技術。場限環與主結以及其它電極並沒有電接觸，因此又稱為浮空場限環。

二維泊松方程

當主結加反向電壓時，主結與環結的電場與電位分布可用半導體表面的二維泊松方程求解：

$\left.{\frac {\partial E_{x}}{\partial x}}\right|_{x,y_{s}}={\dfrac {q}{\epsilon _{s}}}\left(N^{-}-{\dfrac {\epsilon _{s}}{q}}\left.{\frac {\partial E_{y}}{\partial y}}\right|_{x,y_{s}}\right)$