電子遷移率

電子遷移率（英語：electron mobility）是固體物理學中用於描述金屬或半導體內部電子，在電場作用下移動快慢程度的物理量。在半導體中，另一個類似的物理量稱為空穴遷移率（hole mobility）。人們常用載流子遷移率（carrier mobility）來指代半導體內部電子和空穴整體的運動快慢。

外部連結

• The minority Carrier Lifetime in silicon wafer （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）
• semiconductor glossary entry for electron mobility （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）
• Resistivity and Mobility Calculator from the BYU Cleanroom
• Online lecture- Mobility （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館） from an atomistic point of view