能級交錯,是指電子層數較大的某些軌道的能量反低於電子層數較小的某些軌道能量的現象。[1]

簡介

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電子層數較大的某些軌道的能量反低於電子層數較小的某些軌道能量的現象。如4s反而比3d的能量小,填充電子時應先充滿4s而後才填入3d軌道。過渡元素鈧的外層電子排布為4s23d1,失去電子時,按能級交錯應先失去3d電子,成為4s23d0,而從原子光譜實驗得知,卻是先失4s上的電子成為4s13d1。這是由於3d電子的存在,削弱了原子核對4s電子的吸引而易失去的。過渡元素離子化時,大體是先失去ns電子,但也有先失去(n- 1)d電子的,像等。能級交錯的順序不是絕對不變的,在原子序數大的原子中,3d軌道可能比4s軌道的能量低。

參考文獻

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  1. ^ 能级交错、能级图及电子填充顺序-《泰安师专学报》1997年S1期-中国知网. mall.cnki.net. [2018-03-27]. (原始內容存檔於2019-09-28).