45納米製程是半導體製造製程的一個水平。自2007年後期,松下電器和英特爾開始大量製造45納米的芯片產品。[1]
芯片製造廠商使用High-k材料來填充柵極,目的是為了減少漏電。至2007年,IBM和英特爾宣布他們採用了金屬柵極解決方案。
2020年,華為擬在上海建設不使用美國技術的晶片工廠,預期工廠將從低端45納米晶片做起。