Rowhammer是一種對動態隨機存取存儲器(DRAM)攻擊方法。這種攻擊利用了DRAM在運行過程中產生的意外電荷泄漏效應,攻擊會導致存儲器單元泄露電荷並可能造成比特翻轉,攻擊存在的一個原因是現在DRAM存儲單元的高密度排列造成的。一些高端芯片採用ECC(error-correcting code)技術來防止這個問題的發生,而一種稱為ECCploit的攻擊方法可以部分的繞過ECC保護機制[1]

參考文獻

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  1. ^ Potentially disastrous Rowhammer bitflips can bypass ECC protections. Ars Technica. [2018-11-22]. (原始內容存檔於2018-11-29) (美國英語).