柵氧化層
柵氧化層(英語:gate oxide),是用來把CMOS柵極與下方源極、漏極以及源漏極間導電溝道隔離開來的氧化介質層(如右圖)。通過將溝道上方的矽氧化為二氧化矽,柵氧化層得以形成,其厚度大約為5到200納米,這層物質為絕緣體。柵氧化層上方為導電的柵極材料。柵氧化層充當了介質層,使得柵極能夠維持1到5毫伏每立方米的縱向電場,這個電場可以用來控制下方溝道的導通和關斷。
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參考文獻
編輯- Michael Quirk, Julian Serda. 半导体制造技术(原书名:Semiconductor Manufacturing Technology). 電子工業出版社. 2005. ISBN 7-5053-9493-2.
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