洪朝生

洪朝生（1920年10月10日—2018年8月19日），男，北京人，中國物理學家，中國科學院理化技術研究所研究員。中國低溫物理、超導和低溫工程研究的開拓者和奠基人之一。

生平

1940年畢業於清華大學電機工程系。1945年遠赴美國留學，1948年獲美國麻省理工學院理學博士學位。後於美國普渡大學及荷蘭萊頓大學卡莫林·昂納斯實驗室工作。

1951年回國，時任中國科學院應用物理所副研究員、研究員，並兼任清華大學、北京大學、中國科學技術大學物理系教授一職，1978年榮任中國科學院物理研究所副所長，1982年榮任中國科學院低溫技術實驗中心主任。1980年當選為中國科學院學部委員(院士)。

榮譽

• 1950年，於半導體鍺單晶輸運現象實驗中，發現雜質能級上的導電現象，並提出半導體禁帶中雜質導電概念，此現象被半導體物理界稱之為「洪朝生效應」。亦間接促進爾後「無序系統電子輸運現象」實驗研究的開端。
• 1953年，於中國科學院物理研究所組建國內第一所低溫實驗室，主持研製低溫研究設備。陸續發現氫、氦的液化及相關技術的推廣。
• 1970年，領導低溫科研隊伍，完成大型空間模擬系統KM3與KM4低溫氦製冷系統的研製任務。為衛星升空的環境模擬出試驗要件。
• 1985年，KM4大型航天環境模擬設備的研製，榮獲「國家科技進步一等獎」。
• 1989年，榮獲中國物理學會胡剛復物理獎。
• 2000年，榮獲國際低溫工程理事會門德爾松獎。
• 2011年，榮獲美國低溫工程和低溫材料大會賽謬爾·柯林斯獎。

外部連結

• 中國科學院學部與院士·院士信息·數學物理學部
• 著名物理學家洪朝生院士逝世 （頁面存檔備份，存於互聯網檔案館）科學網 2018-09-09
• 深切緬懷洪朝生先生 （頁面存檔備份，存於互聯網檔案館）中國科學院理化技術研究所