後道工序

半导体制造过程中晶圆上不同器件的电学布线互连工艺

後道工序back end of lineBEOL)是IC製造的第二部分,其中各個器件(電晶體、電容器、電阻器等)與晶圓上的布線(金屬化層)互連。常見的金屬有和鋁。 [1]BEOL通常在晶圓上沉積第一層金屬時開始。BEOL包括觸點、絕緣層(電介質)、金屬層以及用於晶片與封裝連接的接合位點。

BEOL (金屬化層)和FEOL (器件)。
CMOS製造工藝

在最後一個FEOL步驟之後,就會出現一個帶有隔離電晶體(沒有任何電線)的晶圓。在製造階段的BEOL部分中,形成接觸(焊盤)、互連線、通孔和介電結構。對於現代IC工藝,可以在BEOL中添加 10 多個金屬層。

BEOL 步驟:

  1. 源極和漏極區域以及多晶矽區域的矽化。
  2. 添加電介質(第一層,下層是預金屬電介質(PMD) – 將金屬與矽和多晶矽隔離,對其進行CMP處理
  3. 在 PMD 上打孔,並在其中建立接觸點。
  4. 添加金屬層1
  5. 添加第二個電介質,稱為金屬間電介質(IMD)
  6. 通過電介質製作通孔以將較低金屬與較高金屬連接。通過金屬CVD工藝填充通孔。
    重複步驟 4-6 以獲取所有金屬層。
  7. 添加最終鈍化層以保護微晶片

1998 年之前,幾乎所有晶片都使用鋁作為金屬互連層。 [2]


BEOL 之後有一個「後段製程」,該工藝不是在潔淨室中完成的,通常由不同的公司完成。它包括晶圓測試晶圓背面研磨晶片分離、晶片測試、 IC封裝和最終測試。

相關

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參考

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  1. ^ Karen A. Reinhardt and Werner Kern. Handbook of Silicon Wafer Cleaning Technology 2nd. William Andrew. 2008: 202. ISBN 978-0-8155-1554-8. 
  2. ^ Copper Interconnect Architecture. [2024-01-26]. (原始內容存檔於2024-01-26). 

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