氧化銦
化合物
氧化銦是一種無機化合物，化學式為In2O3，是一種兩性氧化物，且為銦最穩定的氧化物。
| 氧化銦(III) | |
|---|---|
| |
| 別名 | 三氧化二銦 |
| 識別 | |
| CAS號 | 1312-43-2 
|
| PubChem | 150905 |
| ChemSpider | 133007 |
| SMILES |
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| InChI |
|
| InChIKey | PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYAL |
| 性質 | |
| 化學式 | In2O3 |
| 摩爾質量 | 277.64 g/mol g·mol⁻¹ |
| 外觀 | 黃綠色晶體粉末 |
| 氣味 | 無臭 |
| 密度 | 7.179 g/cm3 |
| 熔點 | 1910 °C（2183 K） |
| 溶解性（水） | 難溶 |
| 能隙 | ~3 eV (300 K) eV |
| 結構 | |
| 晶體結構 | Cubic, 空間群 Ia3 No. 206, cI80, a = 1.0117(1) nm, Z = 16[1] |
| 危險性 | |
| 歐盟分類 | 未列出 |
| NFPA 704 |
 0
1
0
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| 相關物質 | |
| 其他陰離子 | 硫化銦 硒化銦 碲化銦 |
| 其他陽離子 | 氧化硼 氧化鋁 氧化鎵 氧化鉈 |
| 相關化學品 | 氫氧化銦 氧化銦(I) 氧化銦(II) |
| 若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。 | |
製備
編輯塊狀樣品可通過銦（Ⅲ）的氫氧化物、硝酸鹽、碳酸鹽或硫酸鹽的熱分解來製備[2]。氧化銦的薄膜可以通過在氬/氧氣中銦靶的濺射沉積來製備。它們可被用作半導體的擴散阻擋層（「阻擋金屬」），例如可抑制鋁和矽之間的擴散[3]。
化學性質
編輯氧化銦在700℃分解為氧化亞銦（一氧化二銦），其於2000℃進一步分解。
淡黃色的氧化銦可溶於酸和鹼，但棕紅色的相對難溶。[4]和氨在高溫下反應，形成氮化銦。[5]
- In2O3 +2NH3 → 2InN + 3H2O
- In2O3 + 3 H2 → 2 In + 3 H2O
- In2O3 + 2 H2 → In2O + 2 H2O
氧化銦和Cs2O在600℃反應，可以得到無色吸濕性的偏銦酸銫（CsInO2）[4]；K2O和銦可以形成分子式為K5InO4的化合物，其中有四面體結構的InO45−。[7]
和一些三價金屬氧化物反應，可以形成鈣鈦礦結構的化合物[8]，例如：
- In2O3 + Cr2O3 → 2 InCrO3
應用
編輯氧化銦被使用在一些類型的電池，對可見光透明的薄膜紅外線反射鏡（熱鏡），一些光學塗層，有的抗靜電塗料。二氧化錫的組合，氧化銦形式的氧化銦錫（也稱為錫摻雜的氧化銦或ITO）用於透明導電塗層的材料。
參考文獻
編輯- ^ Marezio, M. Refinement of the crystal structure of In2O3 at two wavelengths. Acta Crystallographica. 1966, 20 (6): 723–728. ISSN 0365-110X. doi:10.1107/S0365110X66001749.
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- ^ Shannon, Robert D. Synthesis of some new perovskites containing indium and thallium. Inorganic Chemistry. 1967, 6 (8): 1474–1478. ISSN 0020-1669. doi:10.1021/ic50054a009.
- ^ In2O3 (Indium Oxide). CeramicMaterials.info. [2008-10-29]. （原始內容存檔於2008-06-30）.