鰭式場效電晶體
鳍式场效电晶体
鰭式場效電晶體[1]（英語：Fin Field-Effect Transistor，簡稱：FinFET），是一種新的互補式金氧半導體電晶體，可以改善電路控制並減少漏電流，縮短電晶體的閘長。[2]FinFET是一種立體的場效應管，屬於多閘極電晶體。
當電晶體的尺寸小於25納米以下，傳統的平面場效應管的尺寸已經無法縮小。FinFET的主要思想是將場效應管立體化。
2011年，英特爾已經推出商業化的22納米FinFET。[3]
在2018年2月開始，中國科學院微電子研究所就該技術涉及該所的部分專利對英特爾提出侵權訴訟，而英特爾多次反制，向中美兩國的知識產權管理部門申請專利無效審議或覆審，但均告失敗，2020年7月28日，國家知識產權局口頭受理了該次申請無效審議。[4]
參考資料
編輯- ^ 存档副本. [2023-02-06]. （原始內容存檔於2023-02-06）.
- ^ 中芯国际集成电路制造有限公司首次公开发行人民币普通股（A股）股票并在科创板上市招股说明书 (PDF). 上海交易所科創板. [2020-06-03]. （原始內容存檔 (PDF)於2020-06-03）.
- ^ Wen-Chin Lee， Kedzierski, J. ，Takeuchi, H. ，Asano, K. ，Kuo, C. ， Anderson, E.， Tsu-Jae King，Bokor, J. ， Chenming Hu．FinFET-a self-aligned double-gate MOSFET scalable to 20 nm：IEEE Transactions on Electron Devices，2000：2320 - 2325
- ^ cnBeta. 英特尔被控侵犯中科院微电子所FinFET专利 赔偿或超2亿元 - Intel 英特尔. cnBeta.COM. [2020-08-11]. （原始內容存檔於2020-08-08） （中文（中國大陸））.
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