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File:Threshold formation nowatermark.gif

Threshold_formation_nowatermark.gif ‎（722 × 328 像素，檔案大小：267 KB，MIME 類型：image/gif、​循環、​24 畫格、​3.6秒）

摘要

描述
English: Formation of channel (electron density) and attainment of threshold voltage (IV) in a nanowire MOSFET. Note that the threshold voltage for this device lies around 0.45V. OMENwire on www.nanoHUB.org Link: http://nanohub.org/resources/omenwire
日期
來源 自己的作品
作者 Saumitra R Mehrotra & Gerhard Klimeck, modified by Zephyris

授權條款

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我授予任何人有權利使用此作品於任何用途，除受法律約束外，不受任何限制。

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創作作者 Chinese (Hong Kong) (已轉換拼寫)

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作者姓名字串 繁體中文 (已轉換拼寫)：​Zephyris
維基媒體使用者名稱 繁體中文 (已轉換拼寫)：​Zephyris
網址：​http://commons.wikimedia.org/wiki/User:Zephyris

著作權狀態 繁體中文 (已轉換拼寫)

保有知識產權並由其所有者公開於公有領域 繁體中文 (已轉換拼寫)

有著作權 繁體中文 (已轉換拼寫)

檔案來源 Chinese (Taiwan) (已轉換拼寫)

上傳者的原創作品 繁體中文 (已轉換拼寫)

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目前2010年8月26日 (四) 16:57於 2010年8月26日 (四) 16:57 版本的縮圖722 × 328（267 KB）Zephyris{{Information |Description={{en|1=Formation of channel (electron density) and attainment of threshold voltage (IV) in a nanowire MOSFET. Note that the threshold voltage for this device lies around 0.45V. OMENwire on www.nanoHUB.org Link: http://nanohub.o

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