MIS结构

本条目存在以下问题，请协助改善本条目或在讨论页针对议题发表看法。

此条目的内容疑似复制粘贴自某处，涉嫌违反维基百科的版权方针。 (2014年12月7日)
请协助移除任何非自由版权的内容，可使用工具检查是否侵权。请确定本处所指的来源并非属于任何维基百科拷贝网站。讨论页或许有相关资讯。

此条目需要扩充。 (2014年12月7日)
请协助改善这篇条目，更进一步的信息可能会在讨论页或扩充请求中找到。请在扩充条目后将此模板移除。

此条目需要精通或熟悉相关主题的编者参与及协助编辑。 (2014年12月7日)
请邀请适合的人士改善本条目。更多的细节与详情请参见讨论页。

此条目没有列出任何参考或来源。 (2014年12月7日)
维基百科所有的内容都应该可供查证。请协助补充可靠来源以改善这篇条目。无法查证的内容可能会因为异议提出而被移除。

MIS结构是研究半导体表面电场效应的一种理想化情况，满足以下几个条件：一、金属与半导体的功函数差为零二、在绝缘层内没有任何电荷且绝缘层完全不导电三、绝缘体与半导体界面处不存在任何界面状态

检索自“https://zh.wikipedia.org/w/index.php?title=MIS结构&oldid=33555873”