多層單元
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多層單元（英語：multi-level cell，縮寫MLC）是一種儲存多個位元資訊的記憶體元件。
MLC NAND快閃記憶體是一種在每個單元（cell）上使用多個層次的快閃記憶體技術，從而允許相同數量的電晶體儲存更多位元。在單層單元（SLC）NAND快閃記憶體技術中，每個單元只能處於兩種狀態中的一種，即每個單元儲存一個位元。很多MLC NAND快閃記憶體在每個單元中儲存四個可能的狀態，因此可以用每個單元儲存兩個位元。這減少了區分狀態的餘量，從而增加了發生錯誤的可能性。面向低錯誤率而設計的多層單元有時稱之為企業級MLC（eMLC）。
三層單元（Triple-level cells，縮寫TLC）是MLC記憶體的一種子類型，並隨著MLC記憶體的演變而有著較混亂的命名法。記憶體階層表現為如下順序：
- SLC - （最快，極高成本）
- MLC - （中上，高成本）
- TLC - （中等，低成本）
- QLC - （最慢，極低成本）
概述
編輯MLC快閃記憶體的主要好處是較高的資料密度帶來的較低單元儲存成本，而記憶體讀取軟體可以補償更大的位元錯誤率。[1]更高的錯誤率需要前向錯誤更正（FEC）來糾正多個位元錯誤。例如，SandForce SF-2500快閃記憶體控制器可以糾正每個512位元組磁區中最多55位元，從而使不可恢復讀錯誤的發生率低於每讀寫1017位元時一個磁區。[2]最常被使用的演算法是BCH碼。[3]與SLC快閃記憶體相比，MLC NAND的其他缺點是較低的寫入速度、較低的編程擦除周期數和更高的功耗。
有少數記憶體裝置走向另一個方向，為每個位元使用兩個單元，從而得到更低的誤碼率。[4] Intel 8087使用每個單元兩個位元的技術，並是首個在1980年於市場上使用多層ROM單元的裝置。[5]一些固態磁碟使用MLC NAND中的部分晶粒類比為單位元的SLC NAND，從而提供更高的寫入速度。[6][7][8]
三層單元
編輯三星集團宣布了每個單元（cell）儲存三位元資訊的一種NAND快閃記憶體，具有共8種電壓狀態。這也稱之為三層單元（Triple Level Cell，縮寫TLC），首次應用於840系列SSD。[9]三星將這項技術稱之為3位元MLC。基於NAND記憶體的新帝 X4快閃記憶體記憶卡在每個電晶體中使用16個離散電荷電平（狀態）在每個單元儲存四位元。[10][11]MLC的缺點在TLC上同樣存在並更為突出，但TLC也受益於更高的儲存密度和更低的成本。[12]
單層單元
編輯快閃記憶體將資料儲存在浮柵電晶體製成的各儲存單元中。在傳統上，每個單元有兩種可能的狀態，因此每個單元中儲存一個位元資料的稱之為單層單元，或者SLC快閃記憶體。SLC記憶體具有高寫入速度、低功耗、更長電池耐久的優點。但是，因為SLC記憶體比MLC記憶體在每個單元中儲存的資料更少，它儲存每百萬位元組的成本更高。由於更快的傳輸速度和更長使用壽命，SLC快閃記憶體技術更常被用於製造高效能記憶卡。2016年2月的一項研究表示，SLC與MLC的可靠性在實踐中幾乎沒有差異。[13]
參見
編輯參考資料
編輯- ^ Micron's MLC NAND Flash Webinar. [2017-01-25]. （原始內容存檔於2007-07-22）.
- ^ SandForce SF-2600/SF-2500 Product Info （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館） 2013-10-22
- ^ A Tour of the Basics of Embedded NAND Flash Options （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館） EE Times 2013-08-27
- ^ "Automotive EEPROMs use two cells per bit for ruggedness, reliability" （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館） by Graham Prophet 2008-10-02
- ^ "Four-state cell called density key" article by J. Robert Lineback.
- ^ Geoff Gasior.
- ^ Allyn Malventano.
- ^ Samsung.
- ^ Samsung SSD 840 Series - 3BIT/MLC NAND Flash. [2017-01-25]. （原始內容存檔於2013-04-10）.
- ^ SanDisk Ships World’s First Flash Memory Cards with 64 Gigabit X4 (4-Bits-Per-Cell) NAND Flash Technology. [2017-01-25]. （原始內容存檔於2015-02-27）.
- ^ NAND Flash - The New Era of 4 bit per cell and Beyond （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館） EE Times 2009-05-05
- ^ Samsung SSD 840: Testing the Endurance of TLC NAND. AnandTech. 2012-11-16 [2014-04-05]. （原始內容存檔於2014-04-03）.
- ^ Bianca Schroeder and Arif Merchant. Flash Reliability in Production: The Expected and the Unexpected. Usenix. February 22, 2016 [November 3, 2016]. （原始內容存檔於2017-01-08）.