氧化銦鎵鋅(英語:indium gallium zinc oxide縮寫IGZO)是一種LCD薄膜電晶體顯示器技術,IGZO結晶最初由君塚昇於1985年合成[1],1990年代由東京工業大學教授細野秀雄日本科學技術振興機構(JST)共同開發成IGZO透明不定形氧化物半導體技術[2]。IGZO技術可提高面板解析度同時又降低成本,但IGZO面板對光、水以及氧都相當敏感,耐用度上只能用做民間消費品,不能用於高可靠度的軍用或工業環境。

IGZO與非晶矽相比能夠縮小電晶體尺寸,提高液晶面板畫素的開口率,較易實現解析度高出一倍,電子遷移率快十倍,成為OLED技術的最大對手。

日本科學技術振興機構(JST)把技術專利於2011年授權予三星電子[3],2012年夏普(Sharp)亦獲得授權[4]

LTPS(低溫多矽顯示面板)的表現在某些方面比IGZO更佳(如電子遷移率比IGZO快約十倍),但是LTPS用在小尺寸面板上才能有可接受的成本,在中大尺寸面板上使用IGZO技術的成本則比使用LTPS低很多。

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參考文獻

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  1. ^ N. Kimizuka and T. Mohri: J. Solid State Chem. 60 (1985) 382.
  2. ^ http://dx.doi.org/10.1038/nature03090
  3. ^ 存档副本. [2014-01-07]. (原始內容存檔於2013-12-05). 
  4. ^ 存档副本. [2014-01-07]. (原始內容存檔於2014-01-07). 

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