磷化硼

化合物

磷化硼(BP)是由元素與元素組成的無機化合物,屬於一種半導體材料。 [2]

磷化硼
識別
CAS編號 20205-91-8  checkY
PubChem 88409
性質
化學式 BP
莫耳質量 41.7855 g·mol⁻¹
外觀 栗色粉末
密度 2.90 g/cm3
熔點 1100 °C (分解)
能隙 (間接)2 eV
電子移動率 5400 cm2/(V*s) (300 K)
熱導率 4 W/(cm*K) (300 K)
折光度n
D
3.05 (0.63 µm)[1]
結構
晶體結構 閃鋅礦型
空間群 T2d-F-43m
配位幾何 四面體
若非註明,所有數據均出自標準狀態(25 ℃,100 kPa)下。

製備

編輯

早在1891年,法國化學家亨利·莫瓦桑就合成了磷化硼晶體。[3]

以下幾種方法可製備磷化硼:[4]

  • 單質硼和紅磷的混合物加熱到900°C-1000°C
  • 熱分解PCl3·BCl3
  • 硼與磷化鋅磷化氫反應
  • 氣還原三氯化硼和紅磷的混合物
  • 三氯化硼與磷化物進行複分解反應。

外觀

編輯

純淨的磷化硼幾乎是透明的,n-型晶體是橙紅色的,然而p-型的卻是暗紅色的。[5]

化學性質

編輯

磷化硼與沸騰的濃酸或鹼溶液不發生反應,可在預熱後與熔融的鹼(例如氫氧化鈉)發生反應。[5]磷化硼暴露於空氣中可在1000°C以下耐氧化,而在500°C左右能與氯氣反應。高壓下在2500°C仍可保持化合物的穩定,在1100°C以上真空加熱會失去部分磷,得到B12P1.8,其晶體結構與碳化硼類似。[4]

物理性質 [5]

編輯
  • 熱膨脹係數約為3x10−6 /°K
  • 定壓熱容(CP)約為0.8 J/(g*K) (於溫度 300 K)
  • 德拜溫度 = 1000 K
  • 相對較高的硬度 32 GPa(100 g 負載)
  • 電子和電洞遷移率為幾百cm2/(V*s) (最高可達500)

參見

編輯

相關材料

編輯

參考資料

編輯
  1. ^ refractive index database
  2. ^ POPPER, P.; INGLES, T. A. Boron Phosphide, a III–V Compound of Zinc-Blende Structure. Nature (Springer Science and Business Media LLC). 1957, 179 (4569): 1075–1075. ISSN 0028-0836. doi:10.1038/1791075a0. 
  3. ^ Moissan, H., Comp. Rend. 113 (1891) 726
  4. ^ 4.0 4.1 張青蓮. 《无机化学丛书》第二卷:铍、碱土金属、硼铝镓分族. 北京: 科學出版社. 1991年11月: P386. ISBN 7-03-002238-6. 
  5. ^ 5.0 5.1 5.2 L. I. Berger "Semiconductor materials" CRC Press, 1996 ISBN 0849389127, 9780849389122 (可在google books上預覽), p. 199
  • Boron Chemistry at the Millennium, Editor: R.B. King, Elsevier Science & Technology (1999) ISBN 0-444-72006-5
  • P-n junction type boron phosphide-based semiconductor light-emitting device and production method thereof, United States Patent 6831304
  • Semiconducting Properties of Cubic Boron Phosphide, B. Stone and D. Hill, Phys. Rev. Lett. vol. 4, 282–284 (1960) doi:10.1103/PhysRevLett.4.282

外部連結

編輯