PIN型二極體,又稱移相開關二極體[1]和普通的二層結構的PN接面二極體相比,PIN型二極體引入了I層:即在普通PN接面二極體的由P型半導體材料組成的P層和由N型半導體材料組成的N層中間,插入一層低摻雜的純度接近於本徵半導體材料組成的I層。如果I層材料為低摻雜的P型半導體,則該二極體可稱為π型PIN二極體;如果I層材料為低摻雜的N型半導體,則該二極體可稱為ν型PIN二極體。在PIN型二極體中,P層和N層通常由高摻雜的半導體材料組成。由於I層的存在,PIN型二極體通常比普通的二極體擁有更寬的空乏層,更大的接面電阻和更小的接面電容[2]射頻微波級別的電路中,PIN型二極體經常被用作微波開關英語RF switch移相器英語Phase shift module衰減器[3]

PIN型二極體的結構

原理 編輯

PN接面是所有半導體二極體的基本工作原理。

特性 編輯

對於普通的直流電,PIN型二極體和普通的二極體沒有太大的差異。但與普通的PN接面二極體相比,PIN型二極體在高頻應用中有著非常特殊的特性。當在PIN型二極體上施以順向偏壓的直流電時,PIN型二極體允許高頻振盪的整個波形通過二極體,此時,PIN型二極體基本等同於一個電阻值極小的線性電阻器。當在PIN型二極體上施以逆向偏壓的直流電時,PIN型二極體基本等同於一個電阻值很大的線性電阻器和一個電容器的並聯。

應用 編輯

微波開關 編輯

 
微波開關

衰減器 編輯

 
衰減器

限幅器 編輯

光電二極體 編輯

 
一塊矽光電池,型號為BPW34,本質為一塊大面積的光電二極體

參考 編輯

  1. ^ 楊聖、江兵:《電子技術實踐基礎教程》第66頁,清華大學出版社,ISBN 9787302131656
  2. ^ 丁慎訓、張連芳:《物理實驗教程(第二版)》285頁,清華大學出版社,ISBN 9787302057987
  3. ^ John Ardizzoni:《驅動PIN二極體:運算放大器方案》頁面存檔備份,存於網際網路檔案館