討論:互補式金屬氧化物半導體
由2404:0:8029:EB61:806B:8622:52DB:3764在話題CMOS應該尚難突破1nm物理極限上作出的最新留言：2 年前
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Untitled 編輯
CMOS譯成"互補性氧化金屬半導體"事實上不能完全反映出CMOS的結構(MOSFET閘極的結構為金屬-氧化層(二氧化矽)-半導體(通常為矽半導體)，甚至會造成誤解(在CMOS中，閘極氧化層並非金屬，而是半導體)。故台灣電機工程界對CMOS一般可接受的翻譯是「互補式金屬-氧化層-半導體」，簡稱「互補式金氧半」。
- 其實大陸的主要譯名是「互補金屬氧化物半導體」。用「氧化金屬」的確會造成誤會。 --Lorenzarius 12:25 2006年10月16日 (UTC)
CMOS應該尚難突破1nm物理極限 編輯
這技術應該還是鎖不住the electron.在量子物理的基礎上,電子在適當的物理條件下仍會進行穿越效應。CMOS可以鎖住電子的能力應該有限（電子還是遠比半導體結構的分布範圍還小，這就像不論怎麼調整籠子的大小結構材質分布，空氣分子還是有機率會穿透牢籠），而且開發這材料技術的成本應該非常高昂.要用愛因斯坦的思考方式解決1nm物理極限．但相關理論和技術細節，本人不予透漏。──以上未簽名的留言由2404:0:8029:EB61:806B:8622:52DB:3764（討論）於2021年6月20日 (日) 07:56 (UTC)加入。