高加速应力测试

高加速应力测试(HAST)的方法是由 Jeffrey E. Gunn, Sushil K. Malik 和 Purabi M. Mazumdar 首先提出,其应力测试的失效机制由CuAl和AuAl的IMC界面腐蚀和微裂纹以及诱发的电球键开路引起。[1]

由于85 °C/85% RH的正常测试时间为1000小时,若需要更短的测试时间,则通过HAST在 130 °C/85% RH 下进行96小时的偏压测试。然而,在130 °C/85% RH下进行测试有时会超过模塑化合物的玻璃化转变温度,因此,130 °C/85% RH结果可能并不总是与85 °C/85% RH结果有很好的相关性。HAST测试有时在较低的110 °C下进行,但时间稍长,为264小时。如果在HAST测试期间观察到失效,则会将测试温度降至85°C/85% RH。[1]

湿度加速因子由下式计算

其中 RHs 是加速状态相对湿度,RHo 是工作环境相对湿度,n 是一个经验得出的常数(一般1< n <5).

温度加速因子由下式计算

其中Ea 是活化能(电子产品通常是 0.7eV), k玻尔兹曼常数, To 是以开尔文为单位的工作温度,Ts 是加速状态温度。

无偏压高加速应力测试的总加速因子是

参考文献

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  1. Gunn, Jeffrey E., Sushil K. Malik, and Purabi M. Mazumdar. "Highly accelerated temperature and humidity stress test technique (HAST)." Reliability Physics Symposium, 1981. 19th Annual. IEEE, 1981.

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  1. ^ 1.0 1.1 Gan, Chong Leong,; Huang, Chen-Yu,. Advanced Memory and Device Packaging. Springer Series in Reliability Engineering. Cham: Springer International Publishing. 2023: 1–19. ISBN 978-3-031-26707-9.