闸极驱动器(gate driver)是一种功率放大器,可以让控制集成电路产生的小功率讯号来驱动功率晶体(例如IGBT或是功率级MOSFET)的闸极。闸极驱动器可能是附在功率晶体上,也有可能是独立的元件。闸极驱动器会包括位准转换器以及放大器电路

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MOSFET和双极性晶体管不同,MOSFET在没有切换(切换导通或是切换关断)时,不需要固定的功率输入。MOSFET的隔离闸极会形成电容器闸极电容),在每一次切换导通或关闭时,会需要充电或放电。晶体管的基极至少需要特定的电压才能导通,同様的,闸极电容需要一定的电压才能充电,让晶体导通。同样的,若要关断晶体,也需要释放电容器上的电荷,因此闸极电容也需要放电。

在功率晶体导通或是关断,不会立刻就切换到完全导通或是完全不导通的状态,切换过程中可能会有短暂时间通过大电流,且功率晶体上有较大的电压。因此在切换时会使晶体发热,若控制不当,甚至会破坏功率晶体。因此有需要使切换时间越短越好,以降低其切换损失。一般的切换时间约在微秒等级。晶体的切换时间和驱动闸极需要的电流成反比。因此切换电流一般会要求在数百mA的等级,甚至会到数安培的大小,因为一般的闸极电压会在10-15V之间,切换时会需要消耗数瓦特的功率。假如需要高速的切换大电流,例如直流-直流转换器或是大型的电动机,会将数个功率晶体并联,以提供够大的切换电流及功换功率。

功率晶体的切换信号一般是由逻辑电路或是单片机提供,其输出信号的电流一般会限制在数毫安。若功率晶体直接以此信号驱动,其切换速度会非常的慢,而且产生的切换损失很大。在切换时,闸极电容会快速的抽电流,可能会从逻辑电路或是单片机抽取过多的电流,造成元件的永久损坏。为了避免此一情形,会在逻辑电路及单片机输出电路和功率晶体之间加上闸极驱动器。

H桥的高电压端驱动器会使用电荷泵作为闸极驱动器,以切换高电压端n-channel的功率MOSFET绝缘栅双极晶体管。使用这类元件的原因是其性能良好,但是需要比电源轨电压小一些的闸极电压。若半桥的中心点电压降低时,电容可以透过二极管充电,电荷会在稍晚时间驱动高电压端的FET闸极,使其电压略高于电源轨电压,使此导通。此法可以让桥式电路定期切换,也避免了隔离的电源供应器,可以在高电压端及低电压端都使用效率较好的n-channel元件。

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