金属氧化物半导体电容器

金属氧化物半导体电容器（英语：Metal-Oxide-Semiconductor capacitor，缩写：MOS capacitor）为金属氧化物半导体电晶体中的一个特例，当后者只有采用三端(G、B、D)中的两端(G、B或G、D)便会当成前者之用。

来源

https://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter6/ch6_2.htm （页面存档备份，存于互联网档案馆）