金屬氧化物半導體電容器

金屬氧化物半導體電容器（英語：Metal-Oxide-Semiconductor capacitor，縮寫：MOS capacitor）為金屬氧化物半導體電晶體中的一個特例，當後者只有採用三端(G、B、D)中的兩端(G、B或G、D)便會當成前者之用。

來源

https://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter6/ch6_2.htm （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）