耗盡層

PN接面中載子數量極少的高電阻區域

耗盡層(英語:depletion region),又稱空乏區阻擋層勢壘區barrier region),是指PN結中在漂移運動擴散作用的雙重影響下載流子數量非常少的一個高電阻區域。耗盡層的寬度與材料本身性質、溫度以及偏置電壓的大小有關。

形成

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正向偏置下的PN結,表現為耗盡層變薄。在p端與n端均摻雜1e15/cm3水平,導致內在電勢~0.59 V。耗盡厚度的降低可以從電荷分布曲線上推斷。

PN結中耗盡層的形成

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在PN結中,由於載流子濃度的梯度,空穴電子會通過擴散作用的形式分別向摻雜濃度低的N區、P區移動。擴散作用產生的少數載流子會產生一個內在電場。這個電場會使載流子發生漂移運動,這一運動與擴散的方向正好相反,二者會達成動態平衡。這兩種作用的結果是在PN結處形成一個電子、空穴都很稀少的耗盡層。因為耗盡層中載流子少,其特徵類似電容,這一電容也被稱為結電容[1] 當給PN結加正偏壓時,耗盡層變薄,如右圖所示。當給PN結加負偏壓時,耗盡層變厚。

參考文獻

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