空乏層

PN接面中載子數量極少的高電阻區域

空乏層(英語:depletion region),又稱空乏區阻擋層勢壘區barrier region),是指PN接面中在漂移運動擴散作用的雙重影響下載子數量非常少的一個高電阻區域。空乏層的寬度與材料本身性質、溫度以及偏壓電壓的大小有關。

形成

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順向偏壓下的PN接面,表現為空乏層變薄。在p端與n端均摻雜1e15/cm3水平,導致內在電勢~0.59 V。空乏厚度的降低可以從電荷分佈曲線上推斷。

PN接面中空乏層的形成

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在PN接面中,由於載子濃度的梯度,電洞電子會通過擴散作用的形式分別向摻雜濃度低的N區、P區移動。擴散作用產生的少數載子會產生一個內在電場。這個電場會使載子發生漂移運動,這一運動與擴散的方向正好相反,二者會達成動態平衡。這兩種作用的結果是在PN接面處形成一個電子、電洞都很稀少的空乏層。因為空乏層中載子少,其特徵類似電容,這一電容也被稱為接面電容[1] 當給PN接面加正偏壓時,空乏層變薄,如右圖所示。當給PN接面加負偏壓時,空乏層變厚。

參考文獻

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