電磁學裏,介電質響應外電場的施加而電極化的衡量,稱為電容率。在非真空中由於介電質被電極化,在物質內部的總電場會減小。電容率關係到介電質傳輸(或容許)電場的能力。電容率衡量電場怎樣影響介電質,怎樣被介電質影響。電容率又稱為「絕對電容率」。

對於由極性分子形成的介電質,假設施加外電場於這種介電質,則會出現取向極化現象。

國際單位制中,電容率的測量單位是法拉公尺(F/m)。真空的電容率,稱為真空電容率,或「真空介電常數」,標記為≈8.854187817…×10⁻¹² F/m

概念

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電位移 的定義式為

 

其中, 是電場, 電極化強度

對於均向性的、線性的、均勻介電質,電極化強度 與電場 成正比:

 

其中, 電極化率

所以,電位移與電場的關係方程式為

 

其中, 是電容率。

假若,介電質是異向性的,則電容率是一個二階張量,可用矩陣來表示。

一般而言,電容率不是常數,可以隨着在介電質內的位置而改變,隨着電場的頻率濕度溫度或其它參數而改變。對於一個非線性介電質,電容率有可能會隨着電場強度而改變。當電容率是頻率的函數時,它的數值有可能是實數,也有可能是複數

真空電容率

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真空電容率 的意義是電位移 與電場 真空裏的比值,其值的定義式如下:

  F/m  F/m

其中, 光波在真空中的光速[1] 真空磁導率。其中,真空磁導率的定義值為   T·m/A

國際單位制裏,常數  都是準確值(參閱NIST頁面存檔備份,存於互聯網檔案館))。所以,關於公尺或安培這些物理量單位的數值設定,不能採用定義方式,而必須設計精密的實驗來測量計算求得。由於 是個無理數 的數值只能夠以近似值來表示。

真空電容率 也出現於庫侖定律,是庫侖常數 的一部份。所以,庫侖常數 也是一個準確值。

對於線性介質,電容率與真空電容率的比率,稱為相對電容率 

 

請注意,這公式只有在靜止的、零頻率的狀況才成立。

對於各向異性材料,相對電容率是個張量;對於各向同性材料,相對電容率是個標量

介質的電容率

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對於常見的案例,均向性介質,  是平行的向量,電容率 是會造成雙折射二階張量。介質的電容率和磁導率 ,共同地決定了,電磁波通過介質時的相速度 

 

對於線性介電質,電極化強度 與電場 成正比:

 

將這方程式代入電位移的定義式,可以得到電位移與電場的關係式:

 

所以,電容率與電極化率的關係式為

 

複值電容率

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涵蓋寬廣頻域的介電質的電容率頻譜。  分別標記電容率的實值部份和虛值部份。圖內標示了幾種電極化機制:離子導電、取向極化、原子極化、電子極化[2]

一般物質對於含時外電場的響應,跟真空的響應大不相同。一般物質的響應,通常跟外電場的頻率有關。這屬性反映出一個事實,那就是,由於物質具有質量,物質的電極化響應無法瞬時的跟上外電場。響應總是必需合乎因果關係,這需求可以以相位差來表達。因此,電容率時常以複函數來表達(複數允許同步的設定大小值和相位),而這複函數的參數為外電場頻率  。這樣,電容率的關係式為

 

其中,  分別是電位移和電場的振幅。

請注意,時間相關性項目的正負號選擇(指數函數的指數的正負號),決定了電容率虛值部份的正負號常規。在這裏採用的正負號慣用於物理學;在工程學裏,必須逆反所有虛值部份的正負號。

一個介電質對於靜電場的響應,是由電容率的低頻率極限來描述,又稱為「靜電容率」 

 

在高頻率極限,複電容率一般標記為  。當頻率等於或超過等離子體頻率plasma frequency)時,介電質的物理行為近似理想金屬,可以用自由電子模型來計算。對於低頻率交流電場,靜電容率是個很好的近似。隨着頻率的增高,可測量到的相位差  開始出現於  之間。出現時候的頻率跟溫度、介質種類有關。在中等的電場強度 狀況,  保持成正比:

 

由於介質對於交流電場的響應特徵是複電容率,為了更詳細的分析其物理性質,很自然地,必須分離其實數和虛值部份,通常寫為:

 

其中,虛值部份 關係到能量的耗散,而實值部份 則關係到能量的儲存。

由於複電容率是一個發生於多重頻率的色散現象的疊加,其描述必須能夠兼顧到這些色散現象。因此,複電容率通常會是一個相當複雜的、參數為頻率的函數,稱為「介電函數」。電容率 極點必須匹配虛值部份為正值的頻率,因此滿足克拉莫-克若尼關係式。但是,在一般作業的狹窄頻率值域內,電容率可以近似為跟頻率無關,或者以適當的模型函數為近似。

物質分類

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依據電容率和電導率 ,物質可以大致分為三類:導體、介電質、其它一般介質。高損耗物質會抑制電磁波的傳播。通常,這些物質的  ,可以被視為優良導體。無損耗或低損耗物質, ,可以被視為介電質。其它不包括在這兩種限制內的物質,被分類為一般介質。完美介電質是電導率等於0的物質,通常只允許有小量的位移電流存在。這種物質儲存和歸還電能的性質就好像理想電容器一樣。

高損耗介質

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對於高損耗介質案例,當傳導電流不能被忽略時,總電流密度 

 

其中, 是傳導電流密度 是位移電流密度, 是介質的電導率, 是介質電容率的實值部分, 是介質的複電容率。

位移電流跟外電場 的頻率 有關。假若外電場是個靜電場,則位移電流等於0。

採用這形式論,複電容率定義為

 

通常,介電質對於電磁能量有幾種不同的吸收機制。受到這幾種吸收機制的影響,隨着頻率的改變,電容率函數的樣子也會有所改變(例:壓電材料)。

  • 弛豫relaxation)效應發生於永久偶極分子和感應偶極分子。當頻率較低的時候,電場的變化很慢。這允許偶極子足夠的時間,對於任意時候的電場,都能夠達成平衡狀態。假若,因為介質的黏滯性,偶極子無法跟上頻率較高的電場,電場能量就會被吸收,由而導致能量耗散。偶極子的這種弛豫機制稱為介電質弛豫dielectric relaxation)。理想偶極子的弛豫機制可以用經典的德拜弛豫Debye relaxation)來描述。
  • 共振效應是由原子、離子、電子等等的旋轉或振動產生的。在它們特徵吸收頻率的附近,可以觀察到這些程序。

上述兩種效應時常會合併起來,使得電容器產生非線性效應。例如,當一個充電很久的電容器被短暫地放電時,它無法完全放電的效應稱為「介電質吸收」。一個理想電容器,經過放電後,電壓應該是0 伏特。但是,實際的電容器會餘留一些電壓,稱為「殘餘電壓」。有些介電質,像各種不同的聚合物薄膜,殘餘電壓小於原本電壓的1~2%。但是,電解電容器electrolytic capacitor)或超高電容器supercapacitor)的殘餘電壓可能會高達15~25%。

量子詮釋

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量子力學裏,電容率可以用發生於原子層次和分子層次的量子作用來解釋。

在較低頻率區域,極性介電質的分子會被外電場電極化,因而誘發出週期性轉動。例如,在微波頻率區域,微波場促使物質內的水分子做週期性轉動。水分子與周邊分子的相互碰撞產生了熱能,使得含水分物質的溫度增高。這就是為什麼微波爐可以很有效率地將含有水分的物質加熱。水的電容率的虛值部分(吸收指數)有兩個最大值,一個位於微波頻率區域,另一個位於遠紫外線(UV)頻率區域。這兩個共振頻率都高於微波爐的操作頻率。

在中間頻率區域,高過促使轉動的頻率區域,又遠低於能夠直接影響電子運動的頻率區域,能量是以共振的分子振動形式被吸收。對於水介質,這是吸收指數開始顯着地下降的區域。吸收指數的最低值是在藍光頻率區域(可見光譜段)。這就是為什麼日光不會傷害像眼睛一類的含水生物組織[3]

在高頻率區域(像遠紫外線頻率或更高頻率),分子無法弛豫。這時,能量完全地被原子吸收,因而激發電子,使電子躍遷至更高能級,甚至游離出原子。擁有這頻率的電磁波會導致電離輻射

雖然,從開始到最後,對於物質的介電行為,做一個完全的計算機模擬,是一個可行之計。但是,這方法還沒有得到廣泛的使用。替代地,科學家接受現象模型為一個足以勝任的方法,可以用來捕捉實驗行為。德拜弛豫德拜–勞侖茲模型Lorentz model)都是很優秀的模型。

測量

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物質的電容率可以用幾種靜電測量方法來得到。使用各種各樣的介電質光譜學英語Dielectric spectroscopydielectric spectroscopy)方法,在廣泛頻率值域內,任何頻率的複電容率都可以正確地評估出來。這頻率值域覆蓋接近21個數量級的大小值,從10−6到1015 赫茲[4][5]。另外,使用低溫恆溫器cryostat)和烤爐,科學家可以測量出,在不同的溫度狀況下,物質的介電性質。

橢圓偏振技術可以用在紅外線頻段和可見光頻段。

也有一些方法用於介電常數的測量。介電常數在微波的範圍可以由共振方法測量[6]

參閱

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參考文獻

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  1. ^ 國際標準組織NISTBIPM現在通常的做法,是根據ISO 31的規則,標記光波在真空的光速為 。在原先的1983年建議裏,符號 被用於這用途。參閱NIST Special Publication 330, Appendix 2, p. 45頁面存檔備份,存於互聯網檔案館
  2. ^ Agilent Basics of Measuring the Dielectric Prop[erties of Materials (PDF). Agilent Technologies Inc. (原始內容 (PDF)存檔於2013-09-26). 
  3. ^ Braun, Charles L.; Smirnov, Sergei N., Why is water blue?, Journal of Chemical Education, 1993, 70 (8): 612 [2009-05-14], (原始內容存檔於2012-04-03) 
  4. ^ Linfeng Chen, V. V. Varadan, C. K. Ong, Chye Poh Neo. Microwave theory and techniques for materials characterization. Microwave electronics. Wiley. 2004: 37 [2009-05-14]. ISBN 0470844922. (原始內容存檔於2014-01-01). 
  5. ^ Mailadil T. Sebastian. Dielectric Materials for Wireless Communication. Elsevier. 2008: 19 [2009-05-14]. ISBN 0080453309. (原始內容存檔於2014-01-01). 
  6. ^ Costa, Filippo; et al. Waveguide dielectric permittivity measurement technique based on resonant FSS filters. IEEE Microwave and Wireless Components Letters. 2011, 21 (5): 273––275. doi:10.1109/LMWC.2011.2122303. 

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