2納米製程
在半導體產業中，2納米製程是在3納米製程水準之後的下一個半導體製造製程。台積電和三星皆規劃於2025年量產，英特爾最早宣佈2027年量產，在更改節點命名後20A製程預計2024年量產。[1]
背景
編輯國際裝置與系統發展路線圖（IRDS）在2017年曾預計2.1納米製程將在2027年量產[2]。
2018年底，台積電董事長劉德音預測晶片規模將繼續擴大到3nm和2nm水準；[3]然而，到2019年，其他半導體專家還沒有決定台積電的技術水準是否可以在3nm以外的水準上使用。[4]
台積電於2019年開始了2nm技術的研究。[5]台積電希望在從3nm到2nm時，能實現從FinFET到閘極全環電晶體（GAAFET）類型的轉變。[6]據報道，台積電預計將在2023年或2024年左右進入2nm風險生產。[7]2020年8月，台積電開始在新竹科學工業園區建立一個2nm技術的研發實驗室，預計到2021年部分投入使用。[8]據報道，在2020年9月，台積電董事長劉德音曾表示，公司將在台灣新竹建立一個2nm水準的工廠，也可以根據需求在台中市的中部科學工業園區安裝生產[9]。預計2025年量產[10]。
英特爾於2019年計劃在2027年達至2nm製程水準[11]。該公司於2021年7月宣佈新的節點命名方式，其中2nm製程命名為「Intel 20A」，「A」為長度單位埃格斯特朗（Å），即0.1納米[12]
2021年5月，IBM宣佈在美國紐約州奧爾巴尼的晶片生產研究中心成功製造出全球首顆2nm製程GAAFET晶片[13][14]。
未來發展
編輯國際裝置與系統發展路線圖（IRDS）曾預計2030年量產1.5納米以及2033年量產1納米。[16]
目前英特爾已規劃18A（相當於1.8納米）於2024年下半年量產，三廠皆規劃1.4納米於2027年量產。[17][18][19]台積電則規劃2026年量產1.6納米[20]，2030年量產1納米。[21]
英特爾最早在2019年規劃1.4納米於2029年量產[22]，節點更新後14A(相當於1.4納米)預計於2027年量產。
參考文獻
編輯- ^ 《DJ獨家》台積電2奈米高雄廠 規劃量產N2P. MoneyDJ理財網. 2023-10-12 [2023-10-16]. （原始內容存檔於2023-10-20）.
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