2奈米製程
在半導體產業中，2奈米製程是在3奈米製程水準之後的下一個半導體製造製程。台積電和三星皆規劃於2025年量產，英特爾最早宣布2027年量產，在更改節點命名後20A製程預計2024年量產。[1]
背景
編輯國際裝置與系統發展路線圖（IRDS）在2017年曾預計2.1奈米製程將在2027年量產[2]。
2018年底，台積電董事長劉德音預測晶片規模將繼續擴大到3nm和2nm水準；[3]然而，到2019年，其他半導體專家還沒有決定台積電的技術水準是否可以在3nm以外的水準上使用。[4]
台積電於2019年開始了2nm技術的研究。[5]台積電希望在從3nm到2nm時，能實現從FinFET到閘極全環電晶體（GAAFET）類型的轉變。[6]據報道，台積電預計將在2023年或2024年左右進入2nm風險生產。[7]2020年8月，台積電開始在新竹科學工業園區建立一個2nm技術的研發實驗室，預計到2021年部分投入使用。[8]據報道，在2020年9月，台積電董事長劉德音曾表示，公司將在台灣新竹建立一個2nm水準的工廠，也可以根據需求在台中市的中部科學工業園區安裝生產[9]。預計2025年量產[10]。
英特爾於2019年計劃在2027年達至2nm製程水準[11]。該公司於2021年7月宣布新的節點命名方式，其中2nm製程命名為「Intel 20A」，「A」為長度單位埃格斯特朗（Å），即0.1奈米[12]
2021年5月，IBM宣佈在美國紐約州奧巴尼的晶片生產研究中心成功製造出全球首顆2nm製程GAAFET晶片[13][14]。
未來發展
編輯國際裝置與系統發展路線圖（IRDS）曾預計2030年量產1.5奈米以及2033年量產1奈米。[16]
目前英特爾已規劃18A（相當於1.8奈米）於2024年下半年量產，三廠皆規畫1.4奈米於2027年量產。[17][18][19]台積電則規劃2026年量產1.6奈米[20]，2030年量產1奈米。[21]
英特爾最早在2019年規劃1.4奈米於2029年量產[22]，節點更新後14A(相當於1.4奈米)預計於2027年量產。
參考文獻
編輯- ^ 《DJ獨家》台積電2奈米高雄廠 規劃量產N2P. MoneyDJ理財網. 2023-10-12 [2023-10-16]. （原始內容存檔於2023-10-20）.
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