四硫代钒酸亚铊
四硫代钒酸亚铊是一种无机化合物，化学式为Tl3VS4，它是一种半导体，能隙为1.7 eV。[3]它可由铊、钒和硫在500 °C反应制得，[1]或由硫化亚铊和二硫化钒的反应得到。[4]
| 四硫代钒酸亚铊 | |
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| 识别 | |
| CAS号 | 24687-03-4 
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| 性质 | |
| 化学式 | S4Tl3V |
| 摩尔质量 | 792.35 g·mol−1 |
| 外观 | 紫罗兰色或黑色固体[1] |
| 密度 | 6.17(6) g·cm-3[2] |
| 若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。 | |
参考文献
编辑- ^ 1.0 1.1 C. Crevecoeur. Some ternary thallium chalcogenides. Acta Cryst, 1964. 17 (6), 757. doi:10.1107/s0365110x64001864
- ^ Vlasse, Marcus; Fournes, Leopold. Structural study of the thallium thiovanadate (Tl3VS4) phase. Comptes Rendus des Seances de l'Academie des Sciences, Serie C: Sciences Chimiques, 1978. 287. 3: 47-49. ISSN 0567-6541.
- ^ Magnetic susceptibility of ternary compounds Tl3VS4 and Tl3TaS4. Czechoslovak Journal of Physics B, 1969. 19: 1305-1306. doi:10.1007/BF01690320
- ^ Schmidt, V.; Ruedorff, W. Reaction of thallium(I) sulfide with the disulfides of vanadium, niobium, tantalum, and molybdenum（德文）. Zeitschrift fuer Naturforschung, Teil B: Anorganische Chemie, Organische Chemie, Biochemie, Biophysik, Biologie, 1973. 28 (1-2): 25-28. ISSN 0044-3174