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江崎玲於奈

日本物理學家
（重定向自江崎玲于奈）

江崎玲於奈（日语：江崎 玲於奈／えさき れおな Esaki Reona ?；英语：Leo Esaki，1925年3月12日—），日本物理学家，美国国家科学院、美国国家工程院、俄罗斯科学院外籍院士。日本学士院会员。现任横滨药科大学校长。文化勋章、勲一等旭日大绶章表彰。

江崎玲於奈1973年诺贝尔物理学奖得主
摄于1959年
出生 (1925-03-12) 1925年3月12日（99岁）
 大日本帝国大阪府中河内郡高井田村（现东大阪市）
国籍 日本
母校东京帝国大学
知名于江崎二极管
量子穿隧效应
奖项仁科芳雄奖（1959）
日本学士院奖（1965）
诺贝尔物理学奖（1973）
文化勋章（1974）
IEEE荣誉奖章（1991）
日本国际奖（1998）
勲一等旭日大绶章（1998）
科学生涯
研究领域半导体物理学
凝态物理
机构川西机械制作所（日语：川西機械製作所）
IBM
筑波大学
芝浦工业大学
横滨药科大学
日语写法
日语原文江崎 玲於奈
假名えさき れおな
平文式罗马字Esaki Reona

江崎是诺贝尔物理学奖（1973年）暨IEEE荣誉奖章（1991年）双料得主。他借由穿隧效应发明了江崎二极管（又称穿隧效应二极管，与东京通信工业株式会社合作完成），此外也是超晶格研究的先驱（与IBM合作）。

早年生活与教育

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江崎玲於奈在1925年出生于日本大阪中河内郡高井田村（现在的东大阪市），成长于京都。江崎家毗邻京都帝国大学与同志社大学校园，父亲江崎壮一郎是一位建筑师，哥哥是毕业于京都帝大的铁道工程师。他在同志社中学（日语：同志社中学校・高等学校）首次接触基督教与美国文化，从第三高等学校毕业后考入东京帝国大学学习物理学。他曾于1944年10月在东大参加汤川秀树开设的核子理论课，当时也曾亲历东京大轰炸。

江崎分别在1947年、1959年获得东京大学学士、博士学位。

职业生涯

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江崎二极管

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江崎二极管，旁边的跳线是比例尺
 
1959年在Sony工作的江崎玲於奈

江崎玲於奈在大学毕业后进入川西机械制作所（现富士通天）工作，起初进行由真空管的阴极放出热电子的研究工作，因受到约翰·巴丁、沃尔特·布喇顿和威廉·肖克利发明晶体管的鼓舞，他转而研究重掺杂的锗和硅。1956年转入东京通信工业株式会社（现Sony）担任半导体研究室主任研究员，进行PN结二极管研究。经过一年的尝试后得知，每当锗的PN结宽度变薄时，穿隧效应就会影响电流 - 电压之特性，随着电压增加，电流反而减小，这说明了负电阻。此一发现是物理学中首次出现的固体穿隧效应，也是史上第一个量子电子器件：江崎二极管（或称隧道二极管）的诞生。由于此一突破性发明，1959年他获得了东大博士学位。

江崎在1973年因“发现半导体和超导体的穿隧效应”[1]，与挪威物理学家伊瓦尔·贾埃弗及英国物理学家布赖恩·约瑟夫森共同获得诺贝尔物理学奖。基于颁奖典礼的排序，江崎成为世界第一位从卡尔十六世·古斯塔夫国王手中接过诺贝尔奖奖章、奖状的诺贝尔奖得主。2015年3月，日本茨城吾妻（日语：吾妻 (つくば市)）2丁目的中央公园设置了江崎、小林诚、朝永振一郎的铜像，以彰显3位诺贝尔物理学奖得主的功绩[2]。

超晶格

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江崎玲於奈在1960年移居美国，加入IBM汤玛斯·华森研究中心（英语：Thomas J. Watson Research Center），然后在1967年成为IBM院士。他预测，如果半导体晶体中人为地构建一维周期性结构变化，将可形成半导体超晶格，并引起诸如差分负电阻效应等独特现象。他开发了名为“分子束外延”的薄膜晶体生长方法，可以在超高真空中相当精确地调节。他的第一篇关于半导体超晶格的论文发表于IBM时期的1970年，他在1987年曾对这篇原始论文提出如下的注释[3]：

“《物理评论》评审因缺乏想像力而拒绝出版原始论文，认为该论文太过投机性，没有崭新的物理思想。” 然而，这个想法很快就被美国陆军研究办公室所接受[4]

1972年，江崎在III-V族半导体中实现了他的超晶格概念，后来这个概念影响了许多领域，如金属和磁性材料。他因“对隧道、半导体超晶格和量子井的贡献和领导”荣获1991年IEEE荣誉奖章[5]，也因“创造和实现人造超晶格晶体的概念，致发新材料的生成与有效的应用”荣获1998年日本国际奖[6]。赤崎勇、天野浩、中村修二获得2014年诺贝尔物理学奖后，江崎翌日（10月8日）与赤崎进行电话会谈，他们讨论了彼此发明的社会影响力，也提到“日本人特有的毅力”是成功的重要原因[7]。2015年5月3日，中村在与JAXA负责人川口淳一郎（日语：川口淳一郎）的对谈中自称“尤其尊敬的人物”是江崎。江崎发明的超晶格对LED至为重要[8]。

返日后的活动

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江崎玲於奈在1992年返日担任筑波大学校长（至1998年），2000年担任一届芝浦工业大学校长，并应首相之邀加入教育改革国民会议（日语：教育改革国民会議）。2003年担任奈米技术科学奖“江崎玲於奈奖（日语：江崎玲於奈賞）”的选考委员。2006年以来担任横滨药科大学的校长。

荣誉

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所属科学院

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轶事

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江崎玲於奈是少数不以日语罗马化作为外语姓名的日本人。他新起“Leo”一名取代日语原名的“Reona”（玲於奈）。亦即，在汉字系统以外，通行“Leo Esaki”此一姓名。

参考

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  1. ^ The Nobel Prize in Physics 1973. Nobel Foundation. [2008-10-09]. （原始内容存档于2011-06-27）. 
  2. ^ ノーベル赏:江崎、小林、朝永氏の铜像やレリーフ设置　完成记念式でお披露目　“子どもが梦を”−−つくば・中央公园　／茨城 - 毎日新闻 互联网档案馆的存档，存档日期2015-04-24.
  3. ^ Esaki, L.; Tsu, R. Superlattice and Negative Differential Conductivity in Semiconductors. IBM Journal of Research and Development. 1970, 14: 61. doi:10.1147/rd.141.0061. 
  4. ^ "This Weeks's Citation Classic", Current Contents No 28, July 13, 1987.
  5. ^ https://web.archive.org/web/20150422004457/http://www.ieee.org/documents/moh_rl.pdf
  6. ^ 存档副本. [2017-10-20]. （原始内容存档于2021-03-08）. 
  7. ^ 【ノーベル物理学賞】赤崎氏と江崎玲於奈氏対談　「皆さん、耳を傾けるようになります」（1/2ページ） - 産経ニュース. [2015-04-23]. （原始内容存档于2021-01-07）. 
  8. ^ 科学の魅力:中村修二教授と川口淳一郎シニアフェロー座談会全文 - 毎日新聞. [2015-04-23]. （原始内容存档于2015-04-21）. 

文献

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  • Large scale integrated circuits technology : state of the art and prospects : proceedings of the NATO Advanced Study Institute on "Large Scale Integrated Circuits Technology: State of the Art and Prospects," Erice, Italy, July 15–27, 1981 / edited by Leo Esaki and Giovanni Soncini (1982)
  • Highlights in condensed matter physics and future prospects / edited by Leo Esaki (1991)
  • “时代の证言者”江崎玲於奈，读卖新闻
  • “真空管から半导体への“トンネル”の思い出”江崎玲於奈，‘日本の物理学史’ pp. 478-496

参见

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外部链接

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