非易失性存储器

非易失性存储器（英语：Non-Volatile Memory，缩写：NVM）或非依电性存储器是指当电流关掉后，所存储的资料不会消失的资料存储设备。非易失性存储器中，依存储器内的资料是否能在使用系统时随时改写为标准，可分为三大类产品，即ROM、Flash memory和NVRAM。

类型

非易失性存储器主要有以下类型：

ROM（Read-only memory，只读存储器）
- PROM（Programmable read-only memory，可编程只读存储器）
- EAROM（Electrically alterable read only memory，电可改写只读存储器）
- EPROM（Erasable programmable read only memory，可擦可编程只读存储器）
- EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory，电可擦可编程只读存储器）
Flash memory（闪存）
NVRAM（非易失性随机存储器）
- FRAM（Ferroelectric RAM，铁电随机存取内存）
- MRAM（Magnetoresistive RAM，磁阻式随机存取内存）
- 忆阻器存储器
由电池（多为锂一次电池）供电的静态随机存取存储器，其缺点是会随着电量耗尽而失效

硬盘、光盘与磁带虽然也是非易失性贮存设备，但被归类为现行NVM一般特指非机械式之电子类存储器组件。

规格

类型^[1]	2.5" HDD	1" Microdrive	Flash Memory	Optical Disk	Tape	MRAM
产品型号	Hitachi Travelstar 5k160	Hitachi Microdrive 3k8	Hynix HY27UH08AG5M	Blu Ray	HP Ultrium 960	Freescale MR2A16A （页面存档备份，存于互联网档案馆）
Density（GBit/cm²）	20.3	18.4	0.8	3.8	0.047	0.0021
容量（GByte）	160	8	2	50	400	0.004
数据传输速度（Mbit/s）	540	80	23	144	640	436
Access time（ms）^{[注 1]}	11	12	0.025	180	72000	0.035
Power consumption (W)^{[注 2]}	1.8	0.6	0.1	25	20	0.08
尺寸（高x宽x长（cm））	0.95x7x10	0.5x3x4	0.1x1.2x2	4x15x19	2x10x10	0.1x1x1.8

用途

闪迪 Cruzer TitaniumU盘的印刷电路板上的Samsung闪存（左）慧荣（Silicon Motion）主控（右）

非易失性存储器已大量用于电子产品，尤其可携带性产品之中（如移动电话、数字相机、MP3等等）。

参见

注释

^ Average/typical
^ Average

参考文献

^ A justification for this table can be found here （页面存档备份，存于互联网档案馆）:

[2] Average/typical

[3] Average

[1] A justification for this table can be found here （页面存档备份，存于互联网档案馆）:

[1]

[注 1]

[注 2]